السلام عليكم ورحمة الله وبركاته...
الترانسستور هو عنصر اساسي ومهم بالدائره والغرض منه يستخدم كمفتاح كهربائي لحمايه البفر من التعطب او الاحتراق نتيجة التيار الكهربائي المتولد بسبب تأثير المصدر الكهربائي 24v المستخدم لتغذية الريلي بالفولطيه.
تتكون دائره الترانسستر كما اسلفنا وكما موضحه في الصوره سابقا من ترانسستورBC546B ومقاومه RB ومقاومه RC و مصدر فولطيه VCC24 فولط ومصدر فولطيه VBB الذي يكون عباره عن سكنال (square wave) تكون قيمتها اما صفر او 5v.
رح اشرح ربط ترانسستر واحد وهي نفسهه تكرر 8 مرات بالنسبه لبقية الترانسسترات.
اول شي نربط كل بن من الoutput pins مال البفر الى مقاومه RB التي تكون مربوطه الى طرف الbase للترانسستر(الoutput pins سوف تمثل الVBBللترانسستر) اما طرف الemitter فسوف يربط الى الكراوند وطرف الcollector فيربط الى احد طرفي الكونترول للريلي اما الطرف الآخر للكونترول فيربط الى مصدر كهربائي 24v (المصدر الكهربائي 24v سيمثل مصدر الVCC للترانسستر اما مقاومة الملف للريلي فستمثل المقاومة RC بالنسبه للترانسستر والتي قيمتها تساوي تقريبا 1.6K

) سيتم شرحه لاحقا.
الصور التاليه توضح ربط الترانسسترات
لكي يعمل الترانسستر كمفتاح(switch) لازم نخليه يشتغل بمنطقتين هي ال saturation region(short cct.) والمنطقه الثانيه هي ال cutoff region(open cct.) وهاي طبعا نتحكم بيهه عن طريق مقاومه الRB لان هي المقاومه الوحيده المجهوله والاكدر اتحكم بقيمتهه كالتالي
from transistor data sheet Bdc= 225
ICsat = VCC / RC = 24V / 1.6kΩ = 15mA
IBsat = ICsat / Bdc= 15mA / 225 = 66.67

A
We must have IB greater than ( ICsat / Bdc) to make the transistor operate in the saturation region, this can be done by choosing RB=10k

, so
IB =( Vi – VBE) / RB
IB =(5 - 0.7 )/ 10k

where VBE =0.7V for transistor BC546B
IB= 430 μA which is greater than 66.67

A
اتمنه ربط الترانسستر وال design مالته صار واضح بالنسبه الكم.
يتبع...