السلام عليكم
أولا شكرا على الفيديوهات والمجهود المبذول والمعلومات المفيدة
ثانيا، بخصوص الفيديو الأول والذي تقول في آخره أن السرعة تغيرت بسبب المقاومات على الترانزيستور
أظن أن تأثير المقاومة ليس كبيرا، بينما التأثير الأكبر هو بسبب الترانزيستور المستخدم، حيث أنه مع تيار مجمع قليل يصل إلى منطقة التشبع، بينما لكي يعمل كمفتاح، يكون دائرة قصير (شورت سيركت) عند غلقه كما تقول يجب أن يكون في المنطقة النشطة، أليس كذلك؟
|
تعديل...
لكي يعمل كمفتاح يجب أن يكون في المنطقة النشطة، بينما في منطقة التشبع يكون تيار المجمع متناسبا مع تيار القاعدة
معذرة على الخطأ