 |
|
|
|
|||||
|
| اعلانات |
|
|||||
|
م / محمــــد فـــــوزى
السلام عليكم ورحمه الله وبركاته والله الكلام ده كبير وما يخرجش الا من مهندس كبير مثلك بارك الله فيك ونفع بك الاسلام والمسلمين والله بحبك فى الله يابو عبدة اخوك / محمـــــد فــــــوزى لا املك الا العسل الذى اعطيتهولى اسمح لى ان ارد عليك بعض هديتك  |
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
||||||
|
|
|
|||||
|
والله موضوع ممتاز جدا بارك الله لنا فيك وفى اعمالك بس يريت توضحلنا 1- كيف نفرق بين الترنزستور العادى والموسفت والترياك على المازر بورد 2- هل يجوز تغير موسفت كبير بموسف صغير مع مراعات n او p وهل فعلا يوجد موسفيت جوكر يعمل على كل الموسفت فى المازر بورد ارجو الاجابة وشكرا |
|
|||||
|
شكرااااااااااااااااااااااااااااااااااااااااااااااا ااااااااااااااااااااااااااااا
|
|
|||||
|
|
|
||||||
|
موضوع ممتاز اخى ابو عبده واسمح لاخيك الصغير ان يضيف الترانزيستور عدة انواع عموما وتسمى عائلات احيانا bJT mosFet UJT IGPT الترانزيستور ثنئى الوصله اليكم الصور توضح الانوعين السابقينbjt(bipolar junction transistor) سبق وقلت انه يتكون من ثلاث بلورات اثنين اكبر حجما ومتشابهان وهما الباعث emitter و يرمز له بالرمز e والمجمع collector ويرمز له بالرمز c والجزء الثالث وهو الاصغر يكون القاعدة base ويرمز لها بالرمز b والترانزيستور bjt نوعان pnp npn   و يعتبر هذن النوعان هما المولد الحقيقى لما نحن عليه من تقنية الان فالترانزيستور يستخدم فى دوائر البور امبليفير والارسال والاستقبال ويستخدم ايضا فى الدارات المنطقيه وهو نواة الحاسب الاساسيه سوف اتولى الان عرض بعض الصور ثم نعود لشرح الدوائر مع العلم انها مجرد امثله بسيطه لاهميته ولكن فى الحقيقة لا تخلو دارة تقريبا من وجود ترانزيستور  وهذه الدارة يعمل فيها الترازيستور كمضخم للجهد  فى هذه الدارة استخدم الترانزيستور كمضخم للجهد ففى حالة اغلاق المتاح s1 يمر التيار بكمية كبيرة من البطارية الى القاعدة ويتمثل فى bc او تيار القاعدة ونلاحظ التى يلقاها هنا 1k وبالتالى تكون المحصلةV=ir 10=1k*I I=10/1000=0,01amp وعند مرور التيار الى المجمع والمتمثل فى ec وهى الاسهم المظللة يلقة مقاومة مقدارها 63k وبالتالى تكون المحصلة v=ir v=63k*0,01 v=630volt وهذا يعنى ان فرق الجهد زاد 63 مرة وتسمى تلك بقوة تكبير الترانزيستور او معامل بيتا  ويكتب على الملتيميتر Hfe وتكون قيمة من1 الى 500 ويمكن حساب ذلك من القانون (v out/v in)=(r out/r in)[/size]  هذه الدارة اسطا يستخدم الترانزيستور كمكبر للاشارة الداخلة ولكن يلاحظ هنا الاعتماد على بطريتين يغذى احدهما القاعدة وكليهما المجمع وتعتمد هذه الدارة على نفس المبدئ السابق وتعتبر مفيدة جدا فى تكبير الاشارات الضعيفة حيث انه لايوجد فاقد كبير من الاشارة نفسها لتغذية الترانزيستور نفسه ويكاد هذا لا يذكر هنا رسم المحاكاة فى حالة تشغيل الدارة  استخدام الترانزيستور كمفتاح وهذا مثل الموجود فى المازر بورد بالقرب من الفورنت كونترولر بمجرد الضغط على مفتاح التشغيل تعمل تلك الدارة  هنا نستخدم الترانزيستور كمفتاح فعند غلق المفتاح الاساسى s1 يمر جهد مقداره I*r ونظرا لكبر r للقاعدة عن r للمجمع فان بالتالى فرق الجهد الخارج من المجمع اقل بكثير من الجهد الداخل ويقارب الصفر فى حالتنا هذه فى حالة المفتاح s1 مفتوح يمر التيار كله بالمقاومة r2 ويكون الخارج منها اعلى قيمة ممكنة وتمثل بذلك الحالة اون للترانزيستور و اوف للسويتش والعكس صحيح ويمكن للدارة تلك ان تتطور فمثلا يمكن ان يستبدل المفتاح اس باوبتو اوسيليتور او سينسور او حتى ترانزيستور اخر فى حالة المفتاح كما يمكن ان يستخدن خرج الترانزيستور للتحكم فى ريلاى وباتبعية موتور ضخم وهناك ملاين الاستخادمات التى يمكن ان نصل اليها من دارة الى اخرى فتابعونا فى المواضيع القادمة ملاحظة: عند مرور تيار متردد بالترانزيستور يحدث له invert او انعكاس فى الاشارة  و لتجنب ذلك يستخدم ترازستورين للحصول على ناتج مطابق لفس الاشارة FET(feld effective transistor) مثل اى ترانزيستور له ثلاثة اطراف منيع source مصرف drain البوابة الحاكمة gate يتدفق التيار فى قناة ضيقة بين المنبع والمصرف بينما الجهد المطبق على البوابة الحاكمة ينتج مجال كهربى يتحكم فى تدفة التيار بينهما يستخدم الفيت فى دوائر التكبير ويمكنه العمل كمفتاح ملحوظة المقاومة التى يلقاها التيار عند البوابة كبيرة جدا اكبر من 10 ميجا اوم يوجد نوعين رايسيين من الفيت jfet(junction feld effect transistor) mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)   JFET(junction feld effective transistor) هو احد انواع عائلة فيت له نوعين p-chanal jfet  ----- n-type electrons 0000 p-type holes    منطقة الحاكم او القايض deplation توئر قى دءجة الموصلية بسبب مجموعة الالكترونات او الفجوات فى حالة توصيب يطارية فان الالكترونات تتدفق عن طريق القتاة من المنبع الى المسرب او الخرج وكلما ازداد الفولت المطبق هنا ذادت المطقة الحاكمة وتشوه شكل انتشارها مما يعطينا قناة تدفق اضيق  لو قمنا بتوصيل يطارية ثانية تكون القناة فى قمة اتساعها عندما يكون الجهد المار بين المصدرو البوابة صفر  فى حالة اغلاق المفتاح هنا نقف وتقول اذا كانت البوابة اكثر سلبية من المصدر البطارية ستوجه الالكترونات السالية الى البوابة مما سبجذب الفجوات الموجبة لذلك نجد ان الطبقة المانعة او الحاكمة تلامس قناة التدفة مما يعنى اغلاقها وعدم مرور الالكنرونات من المنبع الى المخرج  وفى هذه الحالة الجهد المطبق على البوابة يسمى pinch-off voltage MOSFET(metal oxide simeconductor field effective transistor) ويدعى ايضا
igfet(insulated gate fets) يشبه النوع السابق الى حد ما وهو عنصر هام جدا فى الصناعات الالكترونيه فمن الممكن تصغيره الى ليشغل مساحات صغيرة من النانوميتر وبناء عليه يستخدم بكثرة فى اغلب الدارات المتكاملة يوجد نوعين من الموسفت enhancement المعزز depletion الخانق او الحاكم  التعديل الأخير تم بواسطة : ramy safwt بتاريخ 24-05-2009 الساعة 01:37 AM |
|
||||||
|
p-chanal enhancement  n-channal enhancement وايكم تشريح ليعض الموسفت
   فى حالة وجود جهد مقداره صفر على البوابة لا يوجد تيار يتدفق بين المنبع والمخرج  قد يتسائل البعض من البدايه لما رسمت البوابة غير متصلة بباقى الجسم الداخلى للموسفت وتكمن الحقيقه هنا ان البوابة معزولة بطبقة رقيقة جدا من اكسيد السيلكون والتى لديها مقاومة عالية جدا واذا طبقنا جهد سالب على البوابة نجد ان الفجوات الموجبة تنجزب الى المنطقة التى اسفلها مما يعطينا قناة توصيل تسمح بمرور التيار من المصدر الى المخرج  depletion هذا النوع يكون الموسفت ذو كثافة اقل فى عدد الفجوات التراكمة اسفل البوابة وفى حالة الجهد المطبق على البوابة صفر يكون مرور الالكترونات من المنبع الى الخرج ممكنا  وفى حالة توصيل جهد سالب على البوابة ينجزب مجموعة من الفجوات الموجبة اسفل البوابة مما يعيق حركة الالكترونات السابة وتنغلق الققناة بين المصدر والخرج  يرجى ملاحظة انا لكل ترانزيستور داتا شيت خاصه به لذلك اذا اردنا معرفة شئ علينا بالرجوع للداتا شيت والله اعلم |
