 |
|
|
|
|||||
|
| اعلانات |
|
|||||
|
|
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
|||||
|
قبل أن نبدأ بالشرح أود توضيح نقطة هامة ، كل دوائر المكبرات تستخدم فى مرحة الدخول إما دوائر متكاملة أو المرحلة المسماة مكبر تفاضلى Differential Amplifier و شرحها تفصيليا سيأتى لاحقا و دائرة أخرى تستخدم كدائرة مصدر تيار ثابت مكونة من ترانزيستور و ثنائى و مقاومة أو أكثر ولذلك شرحها التفصيلى أيضا مع المكبر التفاضلى. حقيقة كنت سأترك مكبر القدرة لحين الانتهاء من هذه الدوائر ولكن الاهتمام بمراحل تكبير القدرة أعطانى الشعور بضرورة إضافة هذه الأبواب و التعجيل بها. لذا سأحدد عند الشرح أجزاء هذه المراحل اعتمادا على أن شرحها التفصيلى آت إن شاء الله لاحقا الدوائر بالملف المرفق مأخوذة من كتاب Design Of VMOS Circuits With Experiments By Robert T. Stone & Howard M. Berlin, SAM'S Book كما هى فقط إضافة بعض المسميات باللون الأحمر لضرورة الشرح الدائرة الأولى مكبر 15 وات  هذه الدائرة تحتوى العديد من الأسئلة التى طرحت ولذا فرغم كونها ربما غير تقليدية و يمكن تنفيذها بترانزستورات حديثة بصورة أسهل إلا أن اختيارها لأهداف توضيحية ذو فائدة كبيرة تدخل الإشارة من أقصى اليسار من عروة تمثل مقبس الدخول إلى مقاومة متغيرة لتحديد قيمة الكسب الكلى المطلوب ثم بعد ذلك عبر مكثف لم تذكر قيمته لأن مقاومة الدخول عالية جدا، فلو حسبنا مقاومة الدخول هى 470ك أوم بين البوابة والأرضى فباستخدام المعادلة التى سبق استخدامها لحساب أقل تردد نجد أن مكثف قيمته 0.02 ميكروفاراد يكفى للحصول على تردد 15 ذ/ث – هل تريد اقل من ذلك استخدم 0.047 للحصول على 7 ذ/ث وهكذا. دائرة Q1 هى مكبر تقليدى عادى باستخدام FET ولا شيء فيها R4 مقاومة الحمل متصلة بالمصب Drain و يؤخذ الخرج منها عبر مكثفين كل منهما 0.1 ميكروفاراد أما المصدر Source للترانزيستور فهو يتصل بمقاومة للأرضى كالدائرة العادية إلا أنها قسمت إلى جزأين R5,R6 تذكر فى دوائر الترانزيستور السابقة - مقاومة الباعث Emitter Resistor و قلنا أن لها فوائد عديدة ولكنها تقلل من الكسب كان علاج نقص الكسب استخدام مكثف كبير على التوازى معها حسنا هنا R6 و قيمتها 560 أوم و على التوازى معها مكثف 100 ميكروفاراد أما المقاومة R5 فهى لهدفين الأول الحصول على قليل من الميزات التى تحدثنا عنها الثانى توفير إمكانية إدخال جهد أو إشارة أخرى أو مدخل لتغذية عكسية ، طبعا نذكر أن التغذية السالبة تحسن كل الخواص و تقلل الكسب لكن الكسب هنا لدينا الكفاية و قليل من التغذية العكسية يحسن و يقلل من عدم خطية الترانزستورات الخطية يقصد بها هنا أن تكبير 1 فولت من صفر إلى 1 يحظى بنفس الكسب لو كان من 5 إلى 6 أومن 11 إلى 12 الخ مرحلة تكبير القدرة هنا تحمل الإجابة على أسئلة كثيرة طرحت و أيضا توضح للفارق بين الترانزيستور العادى و MOSFET المفروض أن الخرج هنا مرحلة دفع وجذب، إذن نتوقع زوج N-Type, and P-Type – Complementary Pair و قلنا فى الترانزيستور العادى أنه يجب اختياره بدقة و السبب عدم تماثل الترانزستورات العادية هنا لم نجد متمم للترانزيستور Q2 فاستخدم 2 ترانزيستور بدلا من واحد Q3,Q4 والسبب أن لا يعانى من عدم الخطية بدرجة الترانزستورات العادية أولا ثانيا استخدام مقاومة المصدر Source هنا يحقق تغذية عكسية كافية لتحقيق الأداء الأمثل هنا وضع مقاومة لكل ترانزيستور R16A,R16B لضرب عصفورين بحجر، الأول ذكرناه للتو والتانى تحقيق التساوى فى التيار بين الوحدتين Q3,Q4 مقابل R16A,R16B استخدم فقط للتمثيل R15A,R15B و يمكن بالطبع استبدالهما بقيمة مكافئة و نفس القدرة ولكن تعمد استخدام المقاومتين بهدف آخر خفى هو أنه يضع الأربع مقاومان من نفس النوع لضمان التصرف المتماثل عند ارتفاع الحرارة مع التشغيل فربما تكون المكافئة من نوع مختلف أو قدرة حرارية مختلفة أو دقة مختلفة وهو يريد المثالية لأقرب درجة فاستخدم نفس الزوج من المقاومات. R13,R14 مقاومتان متغيرتان لضبط جهد انحياز الترانزستورات وجعلها تعمل على Class AB و تكون نقطه الخرج عند جهد نصف التغذية أى 25 فولت – لاحظ أن R13 تعمل مع R11 و أن R14 مع R12 نأخذ من الخرج عبر مكثف 2000 ميكروفاراد للحمل (السماعة) و مسار آخر للتغذية العكسية عبر مقاومة 510 أوم و مكثف 0.001 ميكروفاراد إلى منبع Source ترانزيستور Q1 تخرج الإشارة من Q1 كما قلنا عبر مكثفين 0.1 ميكروفاراد لبوابات الترانزستورات ألأسفل إلى Q2 عبر R8,R10 وهنا نجد R8 لتعطى البوابة Gate جهدها بالنسبة للمصدر Source أما R10 فهذه مقاومة تجدها فى كل دوائر MOSFET و السبب أن كبر مقاومة الدخول تجعل الترانزيستور عرضة أن يكون مذبذب بسبب السعة الشاردة بين الخرج Drain و الدخول Gate (راجع شرح السعة الشاردة سابقا) و لإخماد هذه الاهتزازات توضع هذه المقاومة ولا قوانين لحسابها و غالبا ما تعطى فى Data Sheet و ستجد مقابلها R9A,R9B واحدة لكل ترانزيستور ولا تجمع ولا تستخدم مكافئات و يجب توصيلها كما بالرسم لأن الهدف عزل طرف Gate عن مصدر الإشارة و تأخير التغذية الآتية من طرف Drain بقى مكثف 0.1 موضوع على خط التغذية 50 فولت – أنا سأستخدم وحدة تغذية جيدة ولا داعى له معذرة مهما يكن قد تحتاجه و تحتاج أكثر منه فالهدف منه أن يكون اقرب ما يكون "جسديا" لأطراف الترانزستورات التى تسحب التيار الأعلى لتعزل تأثيرها عن باقى الدوائر و مهما كانت المكثفات فى دائرة التقويم فسلك التغذية يمدك بحث (ملف) يكفى أن تعزز ظاهرة التذبذب للترانزستورات أى أن هذه المكثفات لا يجب أن تبعد سنتيمترات عن هذه الترانزستورات و كلما قلت أطوال التوصيل كان ذلك أفضل الخط الأحمر أعلى الرسم لتأكيد أن هذا الخط كله 50 فولت ولا تنتقل إشارة منه جهة الدخول Gate أو بالعكس مثلها مثل خط الأرضى المماثل بأسفل الدائرة إن شاء الله المرة القادمة نشرح دائرة 100 وات |
|
|||||
مكبر 100 وات
 كما قلنا أن الدوائر الباقية تعتمد على المكبر التفاضلى و مصدر التيار الثابت و أرجو إن كان هناك صعوبة فى المتابعة أن نؤجل شرح مكبرات القدرة لحين الانتهاء من هذه الأجزاء الدائرة 40Watt.png تحتوى هذه المكونات ولكن بصورة متقدمة لأنها دائرة عالية الجودة، و لتسهيل الفهم رأيت أن أبدأ بدائرة 100Watt.png حيث أنها أبسط و هذه المكونات فيها واضحة ثم نكمل بدائرة 40 وات تدخل الإشارة (ميكروفون أو مصدر صوتى أو حساس) من أقصى اليسار عبر مكثف ربط 1 مايكرو ونلاحظ هنا أن الرسم لمكثف بدون قطبية، و المقاومة 100كيلو تخلق مسار لتيار القاعدة للترانزيستور Q1 ثم تمر عبر مرشح للترددات العالية لتقليل أثرها وهى تنتج إما من مرحلة استقبال سابقة (جهاز راديو مثلا) أو يكفى قطعة سلك صغيرة لتعمل كهوائى تستقبل ترددات عالية من الهواء من الإرسال المحيط وهى مقاومة 2.2 كيلو مع مكثف 47pf المكبر التفاضلى يتكون من الترانزستورات Q1,Q2 مع مقاومة مصعد لكل منهما 3.3كيلو و مقاومة باعث مشتركة بينهما 56كيلو أوم. المكبر التفاضلى هو مكبر عادة ذو كسب عالى و حسن الأداء – يقلل من تأثير خطوط التغذية المكبر التفاضلى له دخلان و الخرج هو الفرق بينهما – سيأتى شرحه فى باب مستقل - لذا فالمكبر التفاضلى المذكور يقبل الإشارة على قاعدة Q1 و يأخذ تغذية خلفية من خرج المكبر على قاعدة Q2 وهو طبعا للاستفادة من حسنات هذه التقنية. التغذية الخلفية عبر مجزئ جهد مكون من المقاومتين 27ك و 1كيلو أما المكثفات فهى لتحسين النطاق الترددى. طبعا السؤال – لماذا لا نوفر مسار تيار قاعدة Q2 مثل الأول؟ ببساطة ، تيار مكبرات القدرة بآخر مرحلة فى حال السكون تطغى على تيار القاعدة المتناهى الصغر – فضلا عن أن الحمل سيوصل بين نقطتى الخرج و الأرضى . لتحسين خواص المكبر التفاضلى، عادة ما نستخدم مرحلة أخرى مشابهة ( وليست مماثلة ) وهذه تقنية ستتكرر غالبا دوما من الآن و حتى نهاية مكبرات العمليات إلا فى قليل من الأحوال – كما أيضا سنستخدم تقنية دارلنجتون . Q3,Q4 هما المرحلة الثانية، مقاومة الباعث المشتركة هنا 220 أوم فقط لأنه كما سنعلم لاحقا سيزيد الكسب . Q5 دائرة مثبت تيار تستخدم عادة مع المكبر التفاضلى للحصول على مقاومة حمل عالية جدا مع تيار مقبول عمليا و أيضا سيأتى شرحها تفصيلا فى باب مستقل وهى تتركب من الترانزيستور و الثنائى المرتبط بالقاعدة، أما المقاومتان 100 أوم للمصدر 60 فولت فقط لزيادة الدقة يكفى حاليا أن نعلم أن فائدة هذه الدائرة أن التيار المار فى المقاومة 22 كيلو أوم سيمر مثله تماما فى مجمع Q5 دون التأثر بدرجة الحرارة و دون التأثر أيضا بوضع الترانزيستور Q4 مسار الإشارة : طبعا هى جهد متردد فلنفترض مثلا نصف الموجة الموجب لحظيا يدخل إلى قاعدة Q1 فتظهر معكوسة (سالبة) على مجمع Q1 و تنتقل لقاعدة Q4-Base من قاعدة Q4 تظهر مصغرة على باعثه Q4-Emitter وبنفس الوجه أى (سالبة) و مكبرة على مجمعه Q4-Collector و معكوسة أى (موجبة) نقطة1 من باعث Q4 المصغرة Q4-Emitter وبنفس الوجه أى (سالبة) ستكون على باعث Q3-Emitter و ستظهر مكبرة على مجمعة Q3-Collector وبنفس الوجه أى (سالبة) – و من خلال المقاومة 22كيلو إلى قاعدة Q5 فتظهر معكوسة أى (موجبة) على مجمعه Q5-Collector نقطة2 لاحظ أن النقطتين1،2 تتحركان معا موجبا أو سالبا أى أن الجهد على المقاومتين 150 أوم + 1 كيلو متغيرة ثابت الفرق و لكنه يتأرجح لأعلى و أسفل مثلا يكون 2 فولت و يتأرجح لنقطة1 ما بين 1،13 فولت و للنقطة2 ما بين -1،-13 فولت. هيه لماذا 13 فولت؟ سؤال وجيه. فلو رجعنا لخواص بيانات ترانزستورات الخرج المستخدمة ورقمها 2SK143 مع 2SJ49 سنجد أن الحد الأقصى المسموح به بين البوابة Gate و الباعث Source هو +/-14فولت للحماية من تجاوز هذا الحد، استخدمنا زوج من ثنائيات الزينر 12 فولت ( 12.6فولت) و أضيف إليها ثنائى عادى مثل 1N914 لإضافة 0.6فولت إضافية لتحقيق مزيد من تيار الخرج أيضا سنجد أن الحد الأقصى لبدء التوصيل المسمى Gate to Source Cutoff Voltage يتراوح ما بين 1 إلى 1.5 فولت، و من هنا اضطررنا لاستخدام مقاومة 1كيلو متغيرة للتوائم مع تبديل الترانزستورات، و تحقيق نقاء الخرج بدون Crossover Distortion أو تشويه نتيجة القطع من نقطة1 لترانزستورات الخرج N-Channel MOSFET عبر مقاومات 220أوم لمنع الاهتزاز كما سبق الشرح ومن نقطة2 أيضا لترانزستورات الخرج P-Channel MOSFET عبر مقاومات 220أوم لمنع الاهتزاز الترانزستورات المستخدمة 7 أمبير و يوجد الآن أكبر من ذلك بكثير، و طبعا بتوفير زوج متماثل P,N يمكن الحصول على قدرات أعلى بعد أن أخذنا فكرة عن المكبر التفاضلى و مصدر التيار الثابت يمكننا أن نغوص فى أعماق الدائرة 40 وات وهو موضوع الحلقة القادمة إن شاء الله |
|
|||||
|
40Watt.png
40Watt.png  تدخل الإشارة (ميكروفون أو مصدر صوتى أو حساس) من أقصى اليسار حيث تمر عبر مرشح للترددات العالية لتقليل أثرها وهى تنتج إما من مرحلة استقبال سابقة (جهاز راديو مثلا) أو يكفى قطعة سلك صغيرة لتعمل كهوائى تستقبل ترددات عالية من الهواء من الإرسال المحيط وهى R1=1M,C1=200pF الترانزيستورين Q1,Q2 بالمقاومات R4,R5,R9,R10 تشكل مكبر تفاضلى وهو مكبر عادة ذو كسب عالى و حسن الأداء – يقلل من تأثير خطوط التغذية و لزيادة الكسب لهذه المرحلة يفضل وضع مصدر تيار ثابت وهو هنا الثنائى D1=CR200 وهو ببساطة مجموعة مكونات و يمكنك تحميل خواصه من هنا http://www.alldatasheet.com/datashee...SAY/CR200.html المكبر التفاضلى له دخلان و الخرج هو الفرق بينهما لذا فالمكبر التفاضلى المذكور يقبل الإشارة على قاعدة Q1 و يأخذ تغذية خلفية من خرج المكبر على قاعدة Q2 و طبعا للاستفادة من حسنات هذه التقنية، التغذية الخلفية عبر المقاومة R7= 20K أما باقى المكونات C4=4Pf,R6=1K,C3=100uF فهى فقد لتحسين النطاق الترددى. كما فى الدائرة السابقة R3 توفر مسار تيار قاعدة للترانزيستور Q1 أما الآخر فمن خلال مراحل الخرج كما سبق. لتحسين أداء المكبر التفاضلى يمكن استخدام أكثر من مرحلة بالتتابع لذا استخدم الخرجين من الترانزيستورين لتغذية مكبر تفاضلى آخر مكون من الترانزيستورين Q3,Q4 و المقاومة المشتركة للباعث هى Q7 كمصدر تيار ثابت مع الثنائى D2 و باقى المقاومات للضبط فقط. مقاومات المجمع Collector هنا مصادر تيار مستمر – ولو نظرنا للدائرة المتكاملة IC1 سنجدها عبارة عن 4 ترانزيستور فقط!! لماذا إذن؟ كما سنعرف لاحقا فى تقنية الدوائر المتكاملة و أشباه الموصلات عموما من الصعب جدا عمل قطعة بهذه المواصفات بدقة عالية لكن يمكن أن نصنع عديد من القطع متقاربة إلى دقة 1% أو أحسن ولكن حوالى 10-20% مما تريدها أن تكون. هنا الآن لدينا 4 ترانزيستور متماثلين جدا و متلاصقين ميكانيكيا و طبيعيا مما يجعلهم متماثلين حتى فى كافة الظروف من درجة حرارة الخ و خواصها من هذا الرابط http://www.alldatasheet.com/datashee...IL/CA3045.html بعمل قصر بين القاعدة و المجمع Base-Collector Short يتحول الترانزيستور لثنائى و بالتأكيد سيكون مماثل للترانزيستور شبيهه على نفس القطعة . من هنا حولنا 2 إلى ثنائيين ووضعناهما مع ترانزستورين (الكل داخل نفس العبوة) لتحقيق أعلى درجات التماثل و التتابع مع تغير الظروف من حرارة – تيار – الخ خرج كل من الترانزستورين Q3,Q4 يغذى ثنائى والذى يتحكم بدوره فى تيار الترانزيستور المناظر فنجد Q3 من خلال الثنائى - ترانزيستور فى IC1 إلى باعث Q5 و أيضا Q4 من خلال الثنائى - ترانزيستور فى IC1 إلى باعث Q6 . نلاحظ أن هنا اختلافا جوهريا بين هذه الدائرة والسابقة وهو أن هناك استخدم N,P ولكن هنا أستخدم N فقط لذا وجب أن يكون جهد الطاقم العلوى عكس ألطاقم السفلى وهذا يتحقق لأن منذ دخول الإشارة وحتى الآن نستخدم مكبرات تفاضلية و التى لها خرجان عكس بعضهما لذا، سيكون خرج Q5 عكس Q6 و الباقى متماثل. ثنائيات الزينر لنفس الهدف وهى زيادة فى الاحتياط لأن الترانزستورات مزودة بها داخليا. كل طاقم مكون من 3 ترانزستورات بالمقاومات 1كيلو – لاحظ الترقيم من 21 إلى 23 و أيضا من 16 إلى 18 فهى مثل السابقة المرة القادمة إن شاء الله نشرح الدائرة بتقنية D |
|
|||||
|
100Watt-D-simple
الفرق بين مكبرات الصوت والموسيقى هل هناك فرق؟ أليس التردد من 20 ذ/ث إلى 20ك ذ/ث؟ نعم لكن المتلقى مختلف. الصوت هو خاصية الترددات السابق ذكرها وهى للأجهزة و المعدات لذلك ينبغى أن يكون المكبر ذو استجابة مسطحة أى لا يكبر تردد أكثر من آخر ففى النهاية أجهزة قياس ستتولى التقييم. أما الموسيقى فيكاد أن يكون كل مكبر مختلف عن مثيله و السبب هو أين سيوضع مفاجئة غريبة؟ نعم والسبب هو كما يلى ما هو المتلقى؟ الأذن البشرية . ومعروف من تركيبها أن حساسية الأذن تزداد كثيرا فى النطاق من حوالى 200ذ/ث إلى 5000 ذ/ث ولذا تزود عادة المكبرات بمفاتيح لزيادة التكبير عند النهايتين و قد كان يكتفى سابقا بمفتاحين أحدهما يسمى "باص" Bass or Base و الآخر للترددات العالية يسمى Treble . حقا ولكن أرى فى المكبرات هذه المفاتيح بالزيادة والنقصان – لماذا النقصان و حساسية الأذن كما تقول أقل عندها؟ أليس التكبير فقط هو المطلوب؟ ألم أقل أن كل مكبر مختلف عن مثيله و السبب أين سيوضع؟ كل مكان له أبعاده الخاصة والتى تسبب رنين لترددات دون الأخرى و يزيد من تعقيد الأمور أن الأثاث يساهم فى امتصاص بعض هذا الترددات لذا لا يمكن تحديد أى نسب أفضل لمكان ما سوى بالتجربة فضلا عن أن الذوق الشخصى يختلف من شخص لآخر فلن يلومك أحد لو تحب إظهار صوت الطبلة أكثر من "الصاجات" مثلا أو العكس. مع ظهور الدوائر المتكاملة و تميز أداء مكبر العمليات أمكن أن نصنع مرشحات لكل اوكتاف من الترددات (الأوكتاف هو المدى من تردد ما و نصفه أو ضعفه) وفى لغة الموسيقى يقال مثلا من دو إلى دو التالية و بالتالى تم عمل ما يسمى Graphic Equalizer أو المعادل البيانى لموائمة الاستجابة الصوتية للمكان بصورة أدق. حسنا! و ما علاقة هذا بموضوعنا؟ شيء بالغ الأهمية، نحتاج أن نزيد من كسب المكبر فى هذين النطاقين و الأسوأ أن نزيد من طاقته و الخرج من السماعات. وما المشكلة؟ كيف تولد السماعة الصوت – هو المشكلة. طبعا كلنا نعرف تركيب السماعة وهو ملف من السلك موضوع فى مجال مغناطيس قوى جدا و ملتصق برق من الورق. هذا الرق يعمل كمكبس يحرك الهواء أمامه و خلفه. فى الترددات العالية نحتاج رق صغير ليستطيع الاهتزاز مع الترددات العالية وهذا أمر سهل التوفير و نلاحظ عادة فى السماعات الكبيرة وجود عدة سماعات داخل الكبينة الواحدة كل مقاس يناسب مدى ترددات . فى الترددات العالية يشكل الهواء ضغطا على الرق مما يتيح نقل الطاقة من الملف عبر الرق إلى الهواء لكن فى الترددات المنخفضة للأسف فالحركة البطيئة تقلل من كفاءة السماعات بدرجة كبيرة جدا لذلك يلجأ لاستخدام سماعات كبيرة الحجم لتغطية هذا النقص و استخدام كبائن مصممة خصيصا للاستفادة من الرنين لتضخيم هذه الترددات. رغم كل هذا مازلنا فى معضلة عويصة وهى الحاجة لقدرات عالية جدا لتوليد هذه الترددات المنخفضة. لا أرى مشكلة – بدلا من مكبر 100 وات نستخدم 200 أو 400 حقا يمكن ذلك لكن لو نظرنا لتوزيع الصوت، ما هى هذه الترددات؟ الإجابة الطبلة كم مرة تتكرر و ما زمنها مقارنة بباقى الآلات؟ - هذا هو الرد على السؤال السابق لو زدنا قدرة المكبر سيكون أشبه باستخدام موتور شاحنة لإدارة موتوسيكل. والفاقد كبير. أحد الحلول العبقرية التى قدمت لعلاج هذه المعضلة هو استخدام مكبرات طراز D و الأخر طراز G طراز D : الفقد فى الطاقة يكون أثناء الانتقال من الصفر لإحدى النهايتين لأن الطاقة= فولت × أمبير و صفر فولت فى أى أمبير = صفر طاقة و أيضا صفر أمبير فى أى فولت = صفر طاقة لذا نستخدم نظرية المفتاح Switching فى هذا النظام. الصورة  تشرح فكرته حيث يوجد مولد موجة إما سن منشار أو مثلثة و فى الرسم مولد موجة مربعة بتردد 500 ك ذ/ث ليكون أعلى من أعلى تردد صوتى مطلوب تكبيره بعدة مرات – أى أن لكن ذبذبة صوتية على الأقل 25 موجة مربعة. ثم بواسطة مقاومة و مكثف تتحول لموجة مثلثة. الموجة المثلثة تغذى مقارن و الذى بدوره يقارنها بالموجة الصوتية القادمة – فينتج 25 عينة أو موجة مربعة على الأقل. المقارن هنا يقارن الجهدين و يكون خرجه إما +V أو -V طالما جهد الإشارة أعلى من الموجة المثلثة يكون الخرج +V والعكس بالعكس أى طالما جهد الإشارة أقل من الموجة المثلثة يكون الخرج -V لذا كلما زاد جهد الإشارة زاد عرض النبضات الخارجة و كلما قل الجهد قل عرض النبضة تكبر قدرة هذه النبضات بترانزستورات الخرج وستكون هنا الكفاءة قرب 100% طبعا إن كانت النبضة موجبا نحتاج لفتح الترانزيستور المتصل بالموجب و غلق المتصل بالسالب حتى لا يحدث قصر على المصدرين – و إن كانت سالبة نعكس حال الترانزستورين لذا وجب استخدام عاكس كما بالرسم مع ترانزستورات من نوع واحد أو نستخدم واحد سالب N وآخر موجب P طبعا لتحويل النبضات من مربعة إلى موجة جيبيه نحتاج لمرشح وهو الملف والمكثف Low Pass Filter التغذية العكسية السالبة للاستفادة من خواص هذه التقنية كما سبق الشرح. بعد فهم النظرية إن شاء الله نشرح الدائرة بالتفصيل المرة القادمة |
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
