 |
|
|
|
||||||
|
| اعلانات |
|
||||||
|
|
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
||||||
|
صيانة دلئرة خرج الأفقي ودائرة E/W
بسم الله صيانة دلئرة خرج الأفقي ودائرة E/W أولاً : صيانة مرحلة الانحراف الأفقي المقاومة R409 تستخدم في تأمين جهد الانحياز للحافز Q401 ويعتبر قياس الجهد على قاعدة ومجمع Q401 أول خطوة في صيانة الدائرة على النحو التالي: الجهد السليم على القاعدة V=0.5V تقريباً وجهد المجمع ينصف جهد التغذية بالتقريب يزيد أو ينقص قليلاً وهو في حدود V=50V ويجب التفكير ملياً في أي زيادة أو نقص في أي من الجهدين فلو كان جهد القاعدة V=0.8V وجهد المجمع V=110V فهذا يعني أن Q401 بها فصل أما لو كان جهد حوالي ال V=0V مع ثبوت جهد القاعدة فهذا يعني أن هنالك انحياز زائد على القاعدة قد يكون سببه تعطل IC المذبذب أو عدم وصول إشارته للقاعدة يمكن استخدام هذا الجهد (جهد القاعدة) في عملية تشغيل الجهاز Operation أو وقوفه على الانتظار Standby  فصل أو ارتفاع قيمة المقاومة R412 يؤدي لسخونة عالية في Q404 ويسبب تلفها بعد فترة عند فصل الثنائي على مجمع الأفقي (في الشكل لا يمكن أن ينفصل) سوف يؤدي ذلك لتلف الترانزيستور Q404 مع العلم أنه يمكن أن يحدث التلف بعد إغلاق الجهاز المكثف الأزرق C410 هو ورقي ولا يمكن لقيمته أن تتغير ولكن يحدث به قصر أو فصل القصر يؤدي لوقوف الجهاز عن العمل بسبب قصر وحدة التغذية أما لو حدث به فصل أو جفت لحاماته فإن Q404 تتلف مباشرة الترانزيستور Q404يمكن أن يستبدل بواحد ليس مدمجاً معه مقاومة وثنائي على أن يركبا على أطرافه من الخارج فالمقاومة قيمتها من R=27Ω إلى R=33Ω أما الثنائي فجهده يكون V= 1200V وتياره I=1A محول الإضاءة يمكن أن يحدث به فصل وهذا لن يخرج جهد أي الجهد المفصول طرفه وحسب أو قصر وهو غير قادر على إتلاف Q404 مباشرة ولكن يمكنه إتلافها بعد فترة من الزمن ويلاحظ أن تلف محول الإضاءة يسبب في سخونة له ول Q404 وتحميل على وحدة التغذية ملفات الانحراف الافقية متميزة في عطلها فهي تجعل برواز الشاشة على شكل شبه منحرف تواجهنا أحياناً ترانزيستورات دارلنجتون في خرج الأفقي ويمكن استبدالها بهذه الدائرة  ثانياً: دائرة تصحيح العرض E/W من أجل توضيح عمل دائرة PWM East-West correction أعيد رسم دائرة مكبر الأفقي وإخراج المقاومة والثنائي المدمجان مع ترانزيستور الخرج كما في الشكل    وبملاحظة علاقة مكثف تحديد الإرتداد C1 الموجود على مجمع ترانزيستور الخرج Q1 فإن علاقة قيمته عكسية مع قيمة الجهد الخارج لملفات الإنحراف بمعنى كلما زادت سعة هذا المكثف انخفض تبعاً له الجهد المرتد الواصل لملفات الإنحراف الأفقية وهذا النقص في قيمة الجهد يؤدي إلى تحسين استجابة ملفات الإنحراف للجهد فتزيد من عرض الشاشة بمعنى أن علاقة قيمة سعة المكثف مع عرض الشاشة علاقة طردية وعليه سوف نحول الشكل العلوي لدائرة الأفقي هكذا  ونستعرض في سطر كيف يمكن تشكيل إشارة تردد لخدمة هدف ما فلاحظ في هذا الشكل كيف أن دخول موجة مربعة على دائرة مقاومة ومكثف تبدأ هذه الموجة بتشكيل جديد يتناسب مع  وعليه فإنه يتم تشكيل نبضات الرأسي لتصبح كما في الشكل  غالباً ما يستخدم ترانزيستور موسفت MOSFET في خرج الدائرة ويضاف ملف بينه وبين المكثف الثنائي ما زال للحماية وليس له دور في تصحيح العرض لتصبح الدائرة على النحو التالي:  التعديل الأخير تم بواسطة : osama matar بتاريخ 02-01-2010 الساعة 11:51 AM |
|
||||||
|
شاشة التلفزيون CRT
بسم الله من أكثر الرسومات تعبيراً عن الشاشة هذا الفلاش  تبلغ سرعة الضوء 299,792,458 متر في الثانية وهذه القيمة حساباً وليست قياساً وسرعة التيار الكهربي تساويها ولكن لإضاءة الشاشة فإنه يهمنا سرعة الإلكترون داخل موصل فكم هي سرعة الإلكترون؟ وللإجابة على هذا السؤال نسأل ما هي سرعة السيارة؟ مخبرياً وجد أن الإلكترون يستغرق وقتاً مقداره 28.5 ثانية لسير مسافة 1سم خلال سلك نحاسي مساحة مقطعه 1ملم مربع وعلى طرفيه فرق جهد واحد فولت (مصدر الرقم السابق غير متوفر حالياً) وتزداد هذه السرعة بزيادة الجهد وقد أعطى غي (عالم فيزيائي) إلكترونات الأشعة المهبطية المنبعثة من أنبوب كروكس سرعة تقارب 278.000 كيلومتر/ثانية وهذا ما نريد الوصول له لفهم عمل شاشة التلفزيون شاشة التلفزيون CRT Cathode Ray Tube CRT الشاشة عبارة عن انتفاخ زجاجي شبه مفرغ من الهواء يكون في بدايته من الخلف المدفع الإلكتروني Electron gun ويأخذ طبيعياً هذا الشكل  الكاثود الذي طلي بمادة مشعة للإلكترونات فتبدأ الإلكترونات بالانتشار حول الكاثود متنافرة ومبتعدة عنه تواجه هذه الإلكترونات السالبة الشحنة الشبكة الحاكمة والتي يمكن جعل جهدها تصميماً بين ناقص وزائد 20 فولت وفي غالبية الأجهزة نجدها صفر فولت أي متصلة بالأرضي وهذه الشبكة والتي تسمى الحاكمة G1 ذات تأثير مباشر على عدد الإلكترونات المنبعثة من الكاثود ويلاحظ في شاشة التلفزيون أنه لو تم تحرير الكاثود وعدم تعويضه بالإلكترونات التي فقدها فسوف تتكون عليه شحنة موجبة جهدها في حال صلاحية الشاشة V=+200V الإلكترونات هذه بطيئة ولا يمكنها الوصول لسطح الشاشة لذا يستخدم لوح آخر يتلو الشبكة الحاكمة ويسمى لوح التسارع G2 وحدود جهده الموجب V=300V ووظيفته سحب الإلكترونات وتسريعها وهي مازالت مبعثرة وتمر هذه الإلكترونات خلال جهد كهربي موجب وعالي يصل لأكثر من V=3000V FOCUS وهو الشبكة رقم G3 ولاحظ هنا أن هذه الإلكترونات مسرعة فيؤثر هذه الجهد FOCUS في عرض حزمة الشعاع الإلكتروني فإما أن يجعله دقيقاً جداً أو سميكاً حسب الجهد المسلط على G3 . يقوم اللوح النهائي المصعد Anode بجذب هذه الإلكترونات بسرعة وتوصيلها لسطح الشاشة حتى تصطدم في النقاط الفسفورية الملونة علي سطح الشاشة فيتسبب في إضاءتها  تنطلق ثلاثة أشعة من الإلكترونات متجهة لسطح الشاشة ولضمان وصول كل شعاع لمكانه المخصص وضع في الطريق حاجب الظل SHADOW MASKE والظل هو الهالة التي تكون حول الشعاع الإلكتروني حيث تمر الأشعة الثلاثة من نقطة واحدة من الحاجب مقابل كل ثلاث نقاط على سطح الشاشة وبطبيعة الحال لو لم تكن هذه الأشعة مسرعة لاختلطت ببعض يصنع حاجب الظل من سبيكة غالبيتها من الحديد المطاوع بحيث يكون معامل تمددها مساوي لمعامل تمدد الزجاج ومن عيوب هذا الحاجب تأثره بالمغناطيسية الأرضية أو أية مغناطيسية أخرى لذا يوضع حول الشاشة ملفاً من السلك المعزول ويمرر به تياراً كهربياً متغيراً يؤخذ من جهد العموم V=220VAC ويعمل هذا الملف بشكل آلي مع بداية كل تشغيل للتلفزيون وطبعاً لو تركت خطوط الأشعة الثلاثة بدون حرف مدروس لها لأصبحت نقطة مضيئة في مركز الشاشة لذا تستخدم ملفات الانحراف لحرف هذا الشعاع كما في الشكل العلوي التعديل الأخير تم بواسطة : osama matar بتاريخ 02-01-2010 الساعة 12:00 PM |
|
||||||
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
|
بسم الله مرحلة خرج الألوان RGB  خواص المدافع الإلكترونية تم في الموضوع السابق وضع جهود التشغيل للمدافع الإلكترونية الثلاثة وهي متشابهة تماماً والشرح عن أحدها هو شرح للثلاثة وما ينطبق على شاشة ينطبق تماماً على كل الشاشات ولكن هنالك فروقاً بحسب الحجم والعمر وجودة التصنيع عندما تضيء الشاشة بشكل طبيعي يكون على ال CATHODE جهداً مقداره V=150V الشبكة الحاكمة G1 صفر فولت لوح التسارع G2 عليه V=300V لوح التركيز FOCUS عليه V= 4000V اللوح النهائي ANODE عليه V=20000V ما عدا جهد الكاثود CATHODE فإن الزيادة الموجبة في الجهود السابقة تزيد من إضاءة الشاشة وجميع الجهود السابقة ثابتة مع إمكانية الضبط والجهد المتغير هو جهد الكاثود حيث تتغير شدته حسب الإشارة التي يحملها ولا يظهر تغير الجهد إلا باستخدام راسم الإشارة حيث يتغير في حدود V=80V/PP فعندما يكون جهد الكاثود (مهبط) حوالي V=170V تبدو الشاشة مظلمة وعندما يكون V=80V تكون إضاءة الشاشة أعلى ما يكون وكما ذكر هذه الأرقام قريبة من الواقع تصل إشارات الألوان الثلاثة RGB بعد استخلاص اشارة Y من متكاملة معالجة اشارة الصورة TDA3504 إلى مدافع الشاشة الثلاثة كل حسب لونه وهذه الإشارات الثلاثة مجتمعة تشكل إشارة الصورة B&W ويمكن التأكد من ذلك لو وصلت مخارج الألوان بعد التكبير من أطراف سوكت الشاشة مباشرة الأطراف (6 مع 8 مع 11 ) فتصبح الصورة أبيض وأسود ويمكن استخدام هذه الفكرة عندما نشك في مكان الخلل هل من الشاشة أم من مرحلة RGB . الترانزستورات الثلاث متشابهة في كل شيء عدا إلغاء تحكم DRIVE للون الأحمر والذي يتحكم في مقدار تشبع إشارة اللون نفسه والتحكم في طريق الإشارة وهو تحكم بالحجم VOLUME في حين أن تحكم BIAS لشدة إضاءة اللون وهو تحكم بمركبة DC لكل لون ومن الصعب ضبط DRIVE بدون صورة ويفضل أن تكون ثابتة أو باستخدام مولد النماذج على القضبان اللونية في حين يضبط BIAS في حال عدم وجود إشارة لون وشاهد هذا الشكل لعله يوضح الفرق بين DRIVE/BIAS وسوف نتحكم في اللون الأزرق  لاحظ الشكل التالي:  عندما تزيد إشارة أي لون أو كل الألوان يؤدي ذلك إلى زيادة التيار عبر الترانزيستور فيتأثر جهد الباعث بالزيادة فيؤخذ هذا الجهد للتحكم في مركبة DC والتي عليها إشارة الألوان فيتم خفضه وعليه يعود جهد الدخل RGB إلى الانخفاض مع بقاء الإشارة PP أي ينخفض توهج الشاشة وتظهر الصورة أكثر نصوعاً وعند حدوث أمر عكسي أي انخفاض في جهد الاشارة RGB فيقل التيار عبر الترانزيستور وينخفض الجهد الراجع على هذا الخط مما يؤدي على ورفع المركبة DC مما يساعد في ظهور الإشارة بشكل متناسق فصل هذا الخط يلغي مركبة DC فتبقى إشارة الصورة وهي غير كافية لفتح الترانزيستور مما يؤدي لإظلام الشاشة وعند زيادة هذه الجهد بالخطأ تعلو مركبة DC وتفتح المكبرات على أقصى ما يكون فتبهت الصورة أو تختفي وتصبح إضاءة الشاشة عالية مع أو بدون صورة ويلاحظ هنا أن خفض مستوى جهد SCREEN يمكن أن يظهر الصورة التعديل الأخير تم بواسطة : osama matar بتاريخ 02-01-2010 الساعة 12:05 PM |
|
||||||
|
الموسفت MOSFET مقارنة مع BJT
بسم الله ترانزيستور تأثير المجال ترانزستورات تأثير المجال موسفت MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor يعتبر ترانزيستور تأثير المجال MOSFET تطويراً للترانزستورات العادية BJT ثنائية القطبية ولكنه ليس بديلاً مباشراً أو ممكناً دائماً فهنالك فروق بينهم سيتضح بعضها خلال الموضوع. وهو أيضا في نوعين أساسيينذو القناة الموجبة P-CHANNEL والقناة السالبة N-CHANNEL والأخير N-CH مثل ترانزيستور NPN أكثر شهرة واستخداماً  ويركب مثله تماماً في الدوائر الإلكترونية مع الأخذ بعين الاعتبار فروقات تشغيل القاعدة B في BJT والبوابة GATE في MODFET التركيب: كما يظهر في الشكل  هنالك مشكلة في ساعات الفحص Multimeters عندما نريد فحص الموسفت فالساعات الرقمية وفي معظمها مجهز لقياس الثنائي والذي كما نعلم أن جهد العتبة له V=0.6V وعليه تخرج ساعة الفحص على طرفيها جهداً أعلى من ذلك لفحصه فإذا كان جهد ساعة الفحص يقل عن V=1.5V فلن تتمكن من قياسه وستحتاج لساعة قياس تماثلية عموماً: هنالك عدة طرق لفحص الموسفت أسهلها وهي: طريقة القياس • فرغ شحنة الأقطاب إن وجدت بين أطراف الموسفيت بتلامسهم بجسم معدني • ضع الاوميتر على الوضع المسموع (صفاره ) • ضع الطرف الموجب (الأحمر) من الاوميتر على القاعدة G • والطرف الأسود مره على المنبع ومره على المصرف • يجب أن لا نسمع أي أثر للصفارة أبدا وإلا اعتبر تالفا  التقط الموسفت من الإطار العازل ولا تقترب من الأطراف المعدنية لامس جميع أطراف الموسفت معاً بهدف تفريغ أي شحنة على البوابة GATE باستخدام مفك أو طرف المقياس لامس الطرف السالب لساعة القياس (AVO) مع المنبع SOURCE وفي نفس الوقت لامس الطرف الموجب لساعة القياس (AVO) مع البوابة GATE لأجل شحنها ارفع الطرف الموجب عن البوابة واجعله يلامس المصب DRAIN سوف تأخذ قراءة منخفضة على جهاز ساعة القياس (AVO) لأن الموسفت أصبحت في وضع التوصيل ON بينما الطرف الموجب لا زال على المصب DRAIN اعمل تلامس بين البوابة GATE والمنبع SOURCE بطرف إصبعك لتفريغ شحنة البوابة ففي هذه الحالة يجب على جهاز ساعة القياس (AVO) أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول الموسفت للوضع OFF اغلاق أو بينما الطرف الموجب لا زال على المصب DRAIN ارفع الطرف السالب عن المنبع ودعه يلامس البوابة ثم أعده مرة ثانية ل SOURCEلإعطاء شحنة سالبة للبوابة GATE ففي هذه الحالة يجب على جهاز ساعة القياس (AVO) أن يعطي قراءة مرتفعة بمعنى تحول الموسفت للوضع OFF اغلاق مقارنة بين MOSFET و Bipolar Junction Transistor BJT عند قراءة خواص الترانزيستور من Data Sheet (كتاب دليل الخواص والمواصفات) نجد أن هنالك جهود تشغيلية مختلفة وتيارات متفاوتة ومنحنيات خواص كثيرة ولكوننا لا نريد من خلال هذا العمل الدخول في تصاميم الدوائر الإلكترونية بشكل نظري أكاديمي ونود طرح الموضوع من الناحية العملية مع فهم لخواص القطع التي نتعامل معها ما أمكن أو ما يكفي لنقوم بفهم تلك التصاميم لنتمكن من إجراء أعمال الصيانة المختلفة وعلى الرغم من ذلك فإن دراسة خواص القطع ذو فائدة عظيمة لمن كان يريد الإبحار في عالم الإلكترونيات بمزيد من الدراية والفهم للمقارنة بين ترانزيستور MOSFET وترانزيستور BJT وأخص بالذكر الموسفت IRF840(MOSFET) وثنائي القطبية BUT11(BJT) نجد التالي: جهد تشغيل القاعدة /البوابة n حدود فرق الجهد القصوى بين الباعث والقاعدة V=1.4V مع أن فرق الجهد التشغيلي V=0.66 n حدود فرق الجهد القصوى بين ال S و G زائد / ناقص V=20V مع أن جهد التشغيل V=4.5V تيار القاعدة بالنسبة لتيار الباعث في BJT حوالي 5% تيار البوابة بالنسبة لتيار المنبع SOURCE أقل من أن تشعر به ساعات الفحص التي نستخدمها وكما ذكر في كتاب المواصفات فإن أعلى تيار يصل I=500nA . وفي تجربة عملية بهذا الخصوص كانت النتائج التالية: عند أدنى حد ممكن لجهد القاعدة/ بوابة تلاحظ أن BJT بدأت التكبير عند وصول أول جهد لقاعدتها في حين أن MOSFET لم تغير ساكناً عندما كان جهد بوابتها V=1V .وتبقى كذلك حتى يصل جهد البوابة ل V=2.866V فتبدأ بالتكبير (حسب التجربة يصبح جهد المنبع V=1mV فقط)  وعند مواصلة رفع جهد القاعدة والبوابة نلاحظ أن ال BJT احتاجت لفرق جهد القاعدة عن الباعث V=0.58 لإمرار تياراً مقداره I=10mA في حين أن الموسفت تحتاج لجهد بوابة V=3.76 لإمرار نفس التيار لكن لو كانت نفس مقاومات تهيئة جهد القاعدة فهذا يعني ارتفاع جهد البوابة في الموسفت ل V=5.4V ولكنها ستمرر في هذه الحالة تيارا مقداره I=16.6mA أي أن تأثير المجال ستمرر تياراً أعلى من ثنائي القطبية عند تساوي ظروف التشغيل  والشكل الثالث تعزيز لنفس النتائج الشكل الرابع وهو أقصى ما أمكن مع ساعة الفحص وليس بحاجة لشرح فكل شيء واضح بالرسم   وفي محاولة للإجابة على السؤال: هل يمكن تركيب ترانزيستور MOSFET مكان ترانزيستور BJT ؟ نشاهد الرسم التالي:  وقد اكتفي هنا بإضافة مثبت للجهد ZENER DIODE بقيمة 3.3 فولت عند التحويل من موسفت لعادي ثنائي القطبية ولكن يمكن إضافة ترانزيستور أحياناً أو غالباً للتحويل من أي منهما للآخر فإذا كان تصميم الدائرة على الموسفت وأردنا تركيب عادي نضيف ترانزيستور لتكبير تيار القاعدة ولو كان عندنا عادي ونريد الإستبدال بموسفت نضيف ترانزيستور لتكبير الجهد وبدون الدخول في تفاصيل أكثر نشاهد الشكلين التاليين   أرجو أن أكون وفقت في توضيح الفروقات العملية بين BJT و MOSFET التعديل الأخير تم بواسطة : osama matar بتاريخ 26-02-2010 الساعة 12:11 AM |
