 |
|
|
|
||||||
وعليكم السلام ورحمة الله وبركاته تحياتى وتقديرى لمهندسنا الكبير م / خميس 54 على ملحوظاته الدقيقه وإسمح لى بالاجابه قدر المستطاع فجميعنا طلاب علم  الموسفت ورمزه في المخطط به ثلاث اسهم تشير الي Q312 +Q310 هي موسفت ورمزه Q Q35 هو ترانزيستور ورمزه Q طبعا كلامك مضبوط في الكتالوجات الرمز O لا يفرق والذي يفرق هو رقمه الحقيقي حقيقى الموسفيت والترانزيستور لهما نفس الرمز فى المخططات Q ولكن الشكل الموجود فى المخطط هو الذى يفرق بين الموسفيت والترانزيستور وكذلك رموز أطرافهم فى المخطط فالموسفيت رموزه تكون D,S,G وفى الترانزيستور تكون C,E,B  في الرسم السابق D10 هو دايود مزدوج (2 دايود) قطعه واحده مهندسنا العزيز الغالى حقا D10 هو دايود مزدوج فى قطعه واحده وأيضا فى المخطط يرمز للدايود المفرد والمزدوج بالرمز D ويسمى Duoble Diode رغم إننى سمعت البعض يسميه Dupplicator وعلى حد علمى بعد البحث فى جوجل على أصل المسمى لم أجد مسمى لهذه القطعه غير Duoble Diode لقد ذكرت ان رمز المكثفات C = المكثف EC = المكثف المستقطب BC =?? رمز المكثف C يرمز للمكثفات الكيميائيه العاديه بقطبيه ذات السعه الصغيره ورمز المكثف EC يرمز للمكثفات الكيميائيه بقطبيه ذات السعه العاليه ورمز المكثف BC حقيقة ليس لدى علم بها ولكنى وجدت سعة المكثف أقل من واحد ميكروفاراد فتيقنت أنه مكثف بدون قطبيه أى يقاس بالبيكو فاراد  الرسم السابق به Q100 + Q18 هل هو موسفت مزدوج في قطعه واحده مثل IC حقا أستاذنا العزيز Q10 ,Q100 هو موسفيت مزدوج فى قطعه واحده ويرمز له أيضا بالرمز Q ويطلق عليه مسمى موسفيت ولكن بفحص الداتا شيت له تجد أنه مكون من 2 موسفيت أستاذنا العزيز الغالى م / خميس لك منى كل الاحترام والتقدير مهندسينا الكرام
كل من له تصويب أو زياده فى المعلومه فليتفضل وأكون شاكرا فضله بتصحيحها أو بإضافتها فنحن هنا لسنا فى مجال تنافس إنما فى مجال تعاون |
| اعلانات |
|
|||||
|
تفاعل اكثر من رائع وكم اسعدني مرور اساتيذنا ومعلمينا في الموضوع فائق تحياتي لمهندس ابراهيم جاد وللمهندس ممدوح ليزر وللمهندس خميس علي مرورهم الذي اسعدني وادخل البهجه في قلبي كامل تحياتي لشخصكم الكريم والغالي |
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
|||||
|
الدرس الثاني لفهم المخطط
V IN = الفولت الداخل للايسي
REEFEN = اشاره السماح بخروج الفولت بمعني ان الفولت عند خروجه لا بد ان يمر علي هذا البن اولا VCNTL = هو الجهد الذي من المفروض ان يكون موجود علي بوابه الايسي لكي يعمل بمعني اخر _ هو الفولت اللازم للايسي لكي يعمل V OUT= الجهد الخارج من الايسي لكي يغذي الدائره او المنطقه المحدده له لتغذيتها GND = المقصود به الارضي اختصار ل GROUND انظر لهذه الصور:-      كما هو موضح للايسي ان الجهد الداخل VIN 1.8 فولت و ال REFEEN 1.2 فولت وفولت البوابه ال VCNTL 5 فولت ولن تجد فولت الخروج مكتوب في الداتا شيت لان خرج الايسي يعتمد علي ظروف الدائره الموضوع فيها ويختلف خرجه من دائره لاخري ومن موذربورد لاخري ،،،،،،،،،،،،،، وستجد دائما معلومات كل بن في صفحه الداتا شيت الخاصه بالايسي كذلك :- Functional Pin Description VIN Input voltage which supplies current to the output pin. Connect this pin to a well-decoupled supply voltage. To prevent the input rail from dropping during large load transient, a large, low ESR capacitor is recommended to use. The capacitor should be placed as close as possible to the VIN pin. GND (Exposed Pad) Common Ground. The exposed pad must be soldered to a large PCB and connected to GND for maximum power dissipation. VCNTL VCNTL supplies the internal control circuitry and provides the drive voltage. The driving capability of output current is proportioned to the VCNTL. Connect this pin to 5V bias supply to handle large output current with at least 1μF capacitor from this pin to GND. An important note is that VIN should be kept lower or equal to VCNTL. REFEN Reference voltage input and active low shutdown control pin. Two resistors dividing down the VIN voltage on the pin to create the regulated output voltage. Pulling the pin to ground turns off the device by an open-drain, such as 2N7002, signal N-MOSFET. VOUT Regulator output. VOUT is regulated to REFEN voltage that is used to terminate the bus resistors. It is capable of sinking and sourcing current while regulating the output rail. To maintain adequate large signal transient response, typical value of 1000μF Al electrolytic capacitor with 10μF ceramic capacitors are recommended to reduce the effects of current transients on VOUT. والحقيقه دائما اننا لا نحتاج الا معرفه قيمه الدخل والخرج والمدخلات الوسيطه بينهما بمعني المكونات الالكترونيه ان كان مكثف او ملف او مقاومه،،،،، مثلا :- ستجد الايسي دخله مظبوط وخرجه مظبوط والجهد الموجود علي ال VCNTL لكي يعمل الايسي مظبوط ولكن الدائره غير مستقره _ ولكن اذا نظرنا بتمعن سنجد الفولت في خروجه قد يمر علي مقاومه او اكثر او حتي عند دخول الفولت قد يمر علي مكثف بف او ملف او مقاومه فعند تلف هذه المقاومه لن يصل الجهد المطلوب للايسي مثل هذا الايسي وبالتالي لن يعمل الايسي وبالتاكيد سوف نقوم بتغيير الايسي اكثر من مره بدون نتيجه ولكن ما بالك لو نظرت الي المخطط :-    ارجو ان يكون المخطط قد تيسر ولو قليلا الي الان ____ نلتقي مع الدرس الثالت لفهم المخطط تحياتي للجميع |
|
|||||
|
|
|
||||||
|
|
|||||
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
|
