الذاكرة Memory
في نظام الحاسب تخزن البرامج والبيانات في الذاكرة.وقد يحتوي الحاسب على ذاكرات من نوع ذاكرة أشباه الموصلات وذكرة مغناطيسية و / أو ذاكرة بصرية.
سنناقش فقط ذاكرة أشباه الموصلات لأن الذاكرة الضوئية والمغناطيسية نادرا ما تستخدم في تطبيقات الميكروكونترولر ذو السعة 8 بت .
تصنف ذاكرة أشباه الموصلات إلى نوعين رئيسيين : ذاكرة الوصول العشوائي (رام) (RAM) وذاكرة للقراءة فقط (روم) (ROM) .
ذاكرة الوصول العشوائيRandom-access memory
ذاكرة الوصول العشوائي متطايرة (متبخرة ) بمعنى أنها لا يمكنها بالاحتفاظ بالبيانات في حالة عدم وجود جهد التغذية (القدرة ). وتسمى أيضا بذاكرة القراءة والكتابة لأنها تسمح (تتيح) للمعالج بالقراءة منها والكتابة فيها. وزمن الوصول لشريحة الرام لكل من القراءة والكتابة تقريبا متساوى . ويستطيع الميكروبروسسور كتابة البيانات في مكان ما في رقاقة ذاكرة الوصول العشوائي ، وإعادة قراءة محتوياتها في وقت لاحق طالما أن القدرة ( التغذية ) موجودة .
القرأة من الذاكرة غير مدمر بمعنى أنهعندما يكتب المعالج الدقيق البيانات على الذاكرة يمحو البيانات القديمة ويكتب مكانها البيانات الجديدة .
هناك نوعان من تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي : رام ساكنة (SRAM) ورام ديناميكية (DRAM) .
تستخدم SRAM من أربع إلى ست ترنزستورات لتخزين حرف واحد من المعلومات. المعلومات المخزنة فى SRAM لن تفقد ما دامت القدرة موجودة .
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية تستخدم ترانزستور واحدة ومكثف واحدة لتخزين حرف واحد من المعلومات. تخزن المعلومات في المكثف فى شكل شحنة كهربائية. الشحنة المخزنة في المكثف يحدث لها تسريب ( فقد ) مع الزمن ولذلك يجب دوريا إعادة تنشيط الذاكرة للحفاظ على محتوياتها .
ذاكرة الوصول العشوائي أساسا تستخدم لتخزين البيانات والبرامج الديناميكية ( المتغيرة ). وغالبا ما يرغب مستخدم الكمبيوتر فى تشغيل برامج مختلفة على نفس الكمبيوتر ، وعادة ما تكون هذه البرامج تعمل على مجموعات مختلفة من البيانات. لذلك يجب تحميل البرامج والبيانات الى الذاكرة من القرص الصلب أو أى مصدر تخزين ثانوى آخر ولهذا تسمى ديناميكية .
ذاكرة القرأة فقطROM
ذاكرة ROM غير متطايرة . إذا تم إزالة القدرة عن ذاكرة ROM ثم أعيدت مرة أخرى فإن البيانات الأصلية ستظل كما هى . ويدل اسمها على أن البيانات فيها تقرا فقط وهذا غير صحيح تماما.
معظم تقنيات ذاكرة ROM تتطلب خوارزمية ( نظام أو برنامج للحل الحسابى ) وجهد لكتابة البيانات على الرقاقة. وبدون استخدام هذه الخوارزمية الخاصة والجهد ، فإن أى محاولة للكتابة على ذاكرةROM لن يكتب لها النجاح (هذه العملية تسمى بعملية البرمجة والجهاز المستخدم يسمى جهاز البرمجة) .
تستخدم اليوم العديد من أنواع التقنيات المختلفة من ذاكرات ROM :
أنواع ذاكرات ROM
ذاكرة للقراءة فقط مبرمجة مقنعة ( مخبئة ) Masked-programmed
تسمى (MROM) وهى نوع من ROM والتى يتم برمجتها عند تصنيعها.وفيها يقوم صناع أشباه الموصلات بوضع البيانات الثنائية في الذاكرة حسب طلب ومواصفات العميل ليكون المنتج رخيصا من حيث التكلفة حيث يتم عمل عدة آلاف من رقائق الذاكرة MROM كل منها يحتوى على نسخة من البيانات نفسها (أوالبرنامج). كثير من الناس يطلقون على ذاكرة MROM ذاكرة ROM .
ذاكرة للقراءة فقط مبرمجة (PROM)
وهو نوع من أنوع ذاكرة القراءة فقط والتى يمكن برمجتها في مكان العمل (في كثير من الأحيان من قبل المستخدم النهائي) باستخدام جهاز يسمى مبرمج ذاكرة PROM أو حارق PROM. وبمجرد برمجة ذاكرة PROM فإنه لا يمكن تغيير محتواها . وذاكرة PROM تعتمد على مصهرات (فيوزات) fuse بمعنى أن المستخدم النهائى يقوم ببرمجة المصهرات لتكوين محتويات الذاكرة.
ذاكرة للقراءة فقط قابلة للمحو(للمسح) (EPROM)
وهى نوع من أنواع ذاكرة القراءة فقط والتى يمكن مسحها بتعريضها للأشعة فوق البنفسجية القوية.
تصميم دائرة بها ذاكرة EPROM يتطلب من المستخدم محو محتوياتها قبل كتابة قيم جديدة عليها .
توجد نافذة من الكوارتز فى أعلى الدائرة المتكاملة EPROM لتسمح للأشعة فوق البنفسجية بالسقوط مباشرة على رقائق السليكون في الداخل. وبمجرد برمجة الرقاقة تغطى النافذة بشريط داكن لمنع المحو التدريجي للبيانات. في حالة عدم وجود النافذة فإن رقاقة EPROM تكون قابلة للبرمجة لمرة واحدة فقط .
تستخدم ذاكرة EPROM كثيرا فى نماذج التجارب prototype حيث يتم إعادةالبرمجة عدة مرات حتى الوصول إلى الكمال .
لا يسمح بذاكرة EPROM بمحو محتوى موقع معين . والطريقة الوحيدة هى محو كل محتويات رقاقة ذاكرة EPROM ثم إعادة برمجتها .
تتم برمجة رقاقة ذاكرة EPROM كهربائيا باستخدام جهاز يسمى مبرمج ذاكرة EPROM.
اليوم أغلب المبرمجات أصبحت عامة بمعنى أنها يمكن أن تقوم ببرمجة عدة أنواع من الذاكرات مثل EPROM ، EEPROM ، ذاكرة الفلاش flash memory ، وبرمجة ألاجهزة المنطقية.
ذاكرة للقراءة فقط قابلة للمسح كهربيا (EEPROM)
وهى نوع من الذاكرة غير متطاير ويمكن أن تمحى ويعاد برمجتها بإشارات كهربية . وهى مثل ذاكرة EPROM , فتصميم دوائر EEPROM يتطلب أيضا من المستخدم محو محتويات الذاكرة قبل كتابة قيم جديدة عليها . تسمح ذاكرة EEPROM بمحو موقع معين وإعادة برمجته . وعلى العكس من ذاكرة EPROM فإن ذاكرة EEPROM يمكن محوها وبرمجتها باستخدام نفس المبرمج. ولكن بدفع ثمن لهذه المرونة فى القابلية للمسح . فثمن رقاقة ذاكرة EEPROM أكثر بكثير من رقاقة ذاكرة EPROM التى لها نفس الخواص .
ذاكرة الفلاش
تم اختراع ذاكرة الفلاش لدمج مزايا وتجنب مساوئ تقنيات كل من الذاكرة EPROM و الذاكرة EEPROM . ذاكرة الفلاش يمكن محوها وبرمجتها في النظام دون استخدام جهاز برمجة خاص .
وهى تحقق خصائص ال EPROM لكن لا تحتاج إلى نافذة للمحو. ومثل ذاكرة EEPROM فذاكرة الفلاش يمكن برمجتها ومحوها كهربائيا. ومع ذلك ، لا تسمح بمحو مكان معين من الذاكرة ولكن يمكن للمستخدم فقط محو إما جزء أو كامل الرقاقة . ويزداد اليوم أكثر فأكثر إدراج رقاقة ذاكرة الفلاش داخل رقاقات الميكروكونترولر MCUs لتخزين البيانات والبرامج. مثال ذلك ذاكرة الفلاش المعتمدة داخل الميكروكونترولر PIC .
تذكر المعادلة الاتية :
الميكروكونترولر = ميكروبروسسور + بعض أجهزة الخرج والدخل المختلفة (المحيطة)
أى
Microcontroller = Microprocessor + Some Preipherals
وحتى تكتمل الفائدة ولإزالة بعض الغموض لابد من الإجابة على السؤال :
ماذا عن المتحكمات المنطقية القابلة للبرمجة PLC
إن المتحكمات المنطقية القابلة للبرمجة فى الحقيقة هى عبارة عن ميكروكونترولر فى أساس تكوينها إلا أنه يضاف إليها العديد من الأجهزة ( العتاد ) الصلب hardware وأيضا البرمجيات softwareأى أنه أيضا يعتبر نظام حاسب ولكنه خاص .
ومن ثم نحصل على المعادلة :
PLC = Microcontroller + Some hardware + Somesoftware
والشكل يوضح تركيب متحكم منطقى مبرمج