اهلا وسهلا بك اخي SHAAS
هذا الموضوع ليس للنقاش .
رجاء اقرأ وستجد ما تسأل عنه اريد فقط الكتابة هنا مع تمنياتي بالتوفيق ورجاء تفهمني ان شئت ضع الدارة التي تريد في موضوع آخر .
ان احببت اشرح دارة من اختيارك ...فان كان عندك دارة او جهاز تريد شرحه اطرح اسمه او صورة لدارة تكرم عيناك .
ارجوك اعذرني

قبل ذلك لنفكر بقيمة الزينر .
ان فرضنا ان الترانزستور q2 غير موجود وقمنا على وصل قاعدة q1بالزينر zd1 ومنه الى السالب الزينر سيحجز جهد على طرفيه والترانزستور q1 مثله كمثل باقي الترانزستورات يريد ان يعمل باريحية تامه وذلك دون تكلفة نفسه مشقة تخفيض التيار عن طريق زيادة مقاومته الداخلية و مقارنة جهد قاعدته مع جهد المجمع و تمرير تيار من المشع الى المجمع تبعا لتيار القاعدة ( خاصية من خواص الترانزستور ان يمرر تيار عبره حسب تيار القاعدة وتسمى نسبة التضخيم ) .
فلما يغلب نفسه بهذا العناء طالما انه غير محدد بشروط تشغيلية ... خلاص ياعم بلاش وجعة راس ...
هكذا سيقول الترانزستور وايضا سيقول كم جهد القاعدة ساخرج مثله ولكن لا دخل لي بالجهد التشغيلي المحجوز ؟؟؟؟؟؟
الجهد التشغيلي المحجوز هو الجهد الذي سيتشكل على طرفي الترانزستور اثناء العمل بكامل طاقته ويطلق عليها اختصارا vbe _ vbc اي الجهد بين وصلة القاعدة مجمع و الوصلة قاعدة مشع !!! لا تنسى اخي القارئ اننا شبهنا تركيب الترانزستور الداخلي كديودين موصلين اما بطريقة مصعد مشترك npn او بطريقة مهبط مشترك pnp وكل وصلة تمثل ديود بالتركيب و بالخصائص فكما الديود يحجز جهدا قدره 0.7 v ايضا الترانزستور يحجز مثل تلك القيمة مهما زاد التيار او نقص ومهما زاد الجهد او نقص تلك من المسلمات التي يجب ان نسلم بها للعم الترانزستور .
اذا كما ذكرنا ان كان الترانزستور سيحجز جهد قيمته 0.7v بين القاعدة والمجمع ( لانه من النوع pnp) اذا بين طرفيه كم سيحجز اي بين المجمع والمشع هنا الامر سيختلف تماما لان الوصلة اختلفت فكان الكلام بداية عن الوصلة np او pn والان اصبحت npn او pnp من الناحية النظرية يمكنك ان تقول ان الوصلة الواحدة تحجز 0.7v اذا الوصلتان ستحجزان 1.4v ... اليس كذلك ..
طبعا هذا الكلام خاطئ لانك هنا لم تصبح عندك وصلتان بسبب ان الترانزستور ليس شيئين منفصلين او وصلتين منفصلتين بل هو عبارة عن ديودين بنقطة مشتركة اما بالمصعد او بالمهبط كما اسلفنا .
هنا اغفلنا ما يسمى بنقطة انهيار او فتح عمل الترانزستور op وبالمخططات الالكترونية المصنعية تعرف على انها vbeo هذه القيمة التي تعطى بالمنحيات فقط وليس لها علاقة بالجداول .
فعندما توصل الترانزستور ليعمل بدارة ما عليك اولا ان تحدد له نقطة عمله بالوضع السكوني او الستاتيكي .
هذه النقطة تقول انه ان وصل فارق الجهد بين القاعدة والمشع ( في الترانزستورات npn ) و فارق الجهد بين القاعدة والمجمع ( في الترانزستورات pnp ) الى فوق او عند 0.7v فان المتصل npn سيصبح np لان الوصلة الثانية فتحت او انهارت ( ليس بمعنى الانهيار اي العطب ) وانما فتح لان جدار المتصل np انهار لانه لم يعد موجود .
وفقط تؤخذ قيمة المتصل بالحسبان pnp اثناء الحساب لانه بالعالم خارج الترانزستور انت مطالب بالتقيد بها والعالم داخله ليس لك به علاقة التزم بالتوصيات الخارجية وسيعمل بالداخل كما اوصيت له خارجا .
اذا الزينر برأيكم كم هي قيمته
لنراجع سريعا ما ذكرناه نجد ان
الترانزستور q1 يريد ان يخرج جهد مثل جهد قاعدته و ايضا يجب ان يستجر تيار او يجب ان نسحب تيار من قاعدته الى السالب ليعمل و من طبيعته انه تنبل او بليد لا يحب العمل
اذا بتفكير بطيئ لنأخذ الامر حبة حبة .
ان وصلنا قاعدة q1 مع الزينر مباشرة فماذا سيحصل ؟؟؟
نرى من خصائص الترانزستور انه يحجز جهد قدره 0.7v شئنا ام ابينا بين القاعدة والمجمع اذا سيكون خرج الترانزستور يساوي vzd-0.7v اي جهد الزينر ناقص جهد المتصل bc اذا عند اي قيمة للجهد يجب ان نحدد قيمة الزينر ؟؟؟!!!!
ما من معطيات تفيدني لفعل ذلك .... اليس كذلك .
ولكن هناك معطيات قد وضعناها للدارة وهي معطيات الخرج التي اشترطنا على الدارة ان تتقيد بها ...تمام .
اذا لنطير الى تلك المعطيات ونراها علها تفيدنا بشيء .
المعطيات هي :
التحكم بجهد الخرج من 5_15v .
والزينر هنا يحدد الجهد اذا ليس لنا علاقة بالتيار الان .
برأيكم اي قيمة يجب ان نأخذها ؟؟؟ هل القيمة العليا 15vام القيمة الدنيا 5v .
قد سبق وقلنا اننا ان نزعنا q2 من الدارة ووصلنا قاعدة q1 الى الزينر مباشرة كم سيكون خرج المنظم .
اذا ان نزعنا q2 طيب وان ابقيناه ؟؟ هنا ستحدد المقاومة الداخلية ل q2 قيمة الخرج اذا ان كانت مقاومة q2 الداخلية ثابتة والجهد على مشع q2 ثابت فان قيمة خرج الجهد على مجمع q1 ستكون ثابته.
ولاحظ انه عندما وضعنا q2 اصبح بالامكان التحكم بالخرج على اساس مقاومته الداخلية .
اذا نستنتج انه يجب ان يكون جهد الزينر اعلى من ادنى جهد بقيمة 0.7v مضافة اليه قيمة المقاومة الداخلية للترانزستور q2 اي 0.7 فولت اذا جهد الزينر يجب ان يكون 5 + 0.7 + 0.7 = 6.4v ....

السلام عليكم
هذا ملف pdf لموضوع الأخ مسلم دارات التغذية وارجو المعذرة لاني لم استطع رسم كل الدوائر الموجودة حيث اني حديث عهد ببرنامج proteus ولا اعرف وضع الأسهم والتوضيحات الموجودة في المخطط الثالث.
مع شكري وتقديري


http://www.up-00.com/?Ul36

ماشاء الله
بارك الله بك وسلم يداك على هذا الجهد .
قد اخذت هذه الدارة الكثير من الشرح صدقني انتبهت بعد ان حملت الملف .
سلم الله يداك اخي ah-22 .
شكرا لك وجعلك من عباده المخلصين الطائعين المهديين الهاديين

السلام عليكم
الشكر لك اخي العزيز مسلم 11 فالمجهود كله لك . جعل الله لك ذلك من الصدقات الجارية وهدانا الله واياكم انه سميع مجيب .
مع كل تقديري لك

اذا تبين لنا ان قيمة جهد الزينر يجب ان يكون 6.4v و درسنا كيفية حصولنا على هذه القيمة .
لنأتي الان على حساب او ايجاد ترانزستور مناسب ليعمل كمقاومة متغيرة تضبط قيمة الخرج حسب المطلوب و هنا نقصد الترانزستور Q1 كما فعلنا سابقا نقوم بفتح موقع المعلومات المصنعية للعناصر الالكترونية DATASHEETCATALOG.
او ALLDATASHEET و من ثم نقوم بادراج قيمة الترانزستور المطلوبة و نطلب من الموقع البحث و بعد ذلك اختر ما يناسبك من عناصر وعليك الانتباه ان تختار رقم يكون متوفر عندك لان الدول الصناعية جعلوا منا سوقا لهم و لا يجوز لدولة ان تعرض منتجاتها في دولة غير مخصصة لها .
من خلال بحث الموقع نرى ان الرقم BD288 مناسب جدا لنا ومواصفاته :
Maximum ratings ( Tamp=25C)
اي الحدود العليا للترانزستور عند درجة حرارة ٢٥ درجة مئوية .
Collector - Emitter Voltage -vceo = 45v
اي اعلى فارق للجهد بين المجمع والمشع في حالة العمل يجب ان يكون 45v ولا ننسى عند درجة حرارة 25c مئوية و سبب وضع المصانع لدرجة الحرارة الجو المحيط للترانزستور سواء بالعمل او التخزين لان ذلك يؤثر على الترانزستور في حالة العمل فكلما ازدادت درجة الحرارة تغيرت مواصفات الترانزستور من حيث سرعة الاستجابة او نسبة التضخيم .
وبالنسبة للتخزين فقد كانت تتعرض المركبات الفضائية الاولى الى اعطال كانت تذهل وكالات الفضاء حيث ان نظام العمل في الاقمار الصناعية يعتمد على عمل كل جهاز بحد ذاته ومستقل عن الاخر خوفا من اي تداخل بالتيار في حالة حدوث عطب ما او لتجنب اي تاثير من المركبة الفضائية على عناصر الدارة .
و عندما كانت وكالة الفضاء تقوم على تشغيل اي جهاز كانت تتفاجئ بعدم استجابته و عند تكرار ما حصل اجروا بعض التجارب ومن ثم تبين ان العناصر الالكترونية تتفتت و تتكسر عند درجات الحرارة المتدنية الى مستويات عالية فالفضاء اصله بارد و ذلك لحكمة الله سبحانه وتعالى .
فتجد ان بعض الشركات او اغلبها تضع درجة حرارة التخزين.
و طبعا هذا الترانزستور ضمن المجال الذي نريده لان فارق الجهد الذي يتحمله ضمن المطلوب .
اخي القارئ كلمة فارق الجهد تفيد انه ان طرحنا قيمة جهد المجمع من جهد المشع يجب ان يكون الناتج من 45v ومادون اي لو كان عندك دارة وتريد وضع ترانزستور وكان الجهد الذي تغذي منه دارتك او جهازك 220v فهل ينفع ان اضع هذا الترانزستور ؟؟؟؟ نعم ينفع ولكن يجب ان يكون جهد المشع 220-45=175v اذا يجب ان يكون جهد المشع من 175v ومافوق .
Collector - Emitter Voltage -vces = 45v
تفيد هذه المعلومة ان اقصى جهد يجب ان يطبق على الترانزستور في الوضع السكوني او الستياتيكي هو 45v وهذا الامر يؤخذ بعين الاعتبار عندما نريد ان نضع هذا الترانزستور في دارات ذات دخل متناوب كاشارة صوت او اشارة حساس او اي اشارة تحوي على نبضات سالبة وموجبة .ولاتفيدنا هنا هذه المعلومة لانني اتعامل مع تيار مستمر موجب متغير المستوى بالقيمة .
Collector - Base Voltage - VCBO= 45v
اي الجهد بين المجمع والقاعدة يجب ان يكون ٤٥ فولت عند العمل قد تستغرب اخي القارئ ان هذه القيمة عالية ولكن تفيد هذه المعلومة في حال اردت توصيل دارتك مع دارة اخرى ذات مصدر تغذية منفصل مشترك بالسالب فقط
Base - Emittar Voltage - VEBO= 5v
اعلى فارق للجهد بين القاعدة والمشع يجب ان يكون 5v عند العمل وهذه القيمة هي التي تفيدنا هنا بل هي الشرط الاساسي ان حققته بشكل صحيح سيعمل الترانزستور معك حسب ما خططت له بشكل جيد .
Cullector - current -Ic = 12A
اعلى تيار يتحمله هو ١٢ امبير وهو موافق لطلبي بالدارة .
Cullector peak current - IcM=15A
اي اعلى تيار يمكن تحمله هو 15A لا تختلط عليك الامور هنا السطر السابق كان عن تحمل الترانزستور للتيار 12A عند درجة الحرارة 25c درجة مئوية .
اما المقصود هنا هو اعلى تيار على الاطلاق .
وهذا الكلام يشمل تيار القاعدة والمشع .
Base Current -IB = 2A
اعلى تيار تتحمله القاعدة هو 2A ونلاحظ انه عالي نسبيا كون هذا الترانزستور بطيء الاستجابة وهذه خاصية جيدة ويجب ايضا ان ناخذ هذا التيار بالاعتبار عند الحسابات .

Dc Current Gain * ( -Ic12A;-VCE= 0.7V )= 25
اي ان ربح التيار عندما يكون فارق الجهد بين المجمع والمشع 0.7v وتيار المجمع IC=12A نفهم من هذا ان الترانزستور يعمل في حده الاعلى.
DC Current Gain *( -Ic=0.1A ;VCE=0.7V ) = 200 مرة
اي ان الربح سيكون ٢٠٠ مرة ان كان تيار المجمع 0.1A وكان فارق الجهد بين المجمع والمشع VCE=0.7V .
مما سبق نستنتج ان قيمة التيار المار بالترانزستور هي من تحدد نسبة تكبيره .
ولنقوم على ايجاد الترانزستور Q2 اذ ان تيار و جهد مجمعه اصبحا معلومان .هذا الترانزستور سيمرر تيار القاعدة القادم من Q1 و الترانزستور Q1 اعلى تيار يستطيع ان يمرر من القاعدة هو 2A و اعلى جهد بين القاعدة والمجمع هو 45V .
اذا اريد ترانزستور يتحمل تيار عبر قاعدته يصل الى 2A و فارق جهد بين مجمعه و مشعه 45V.
من موقع المعلومات المصنعية نجد ان الترانزستور SS8050 يفي بالغرض و مواصفاته كما يلي:
VCBO= 40v , VCEO=25V , VEBO=5V , IC=1.5A
DC current Gain * VCE=1v,Ic= 100mA >>
ةhfe1= 85~400 مرة
DC current Gain * VCE = 1V , Ic= 800mA >> hfe2= 40 مرة

السلام عليكم اخي مسلم نشكرك كتير وزادك الله علما