منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics

   

علي العبودي
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Dec 2013
المشاركات: 16
نشاط [ علي العبودي ]
قوة السمعة:
قديم 16-04-2014, 10:57 PM المشاركة 97   
افتراضي



استاذ ربما يكون الخلل بالدايود الذي يربط المرحلتين؟؟؟
هل ممكن ذلك ؟؟وانا استخدمت نفس الدايود المذكور وبعد فحصه وفحص كافة المكونات اقوم بربطها ؟

اعلانات

الصورة الرمزية صفوان مثنى
صفوان مثنى
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Dec 2012
الدولة: اليمن
المشاركات: 14
نشاط [ صفوان مثنى ]
قوة السمعة:
قديم 21-05-2014, 05:45 PM المشاركة 98   
Thumbs up شكرا لك يا بش مهندس الله يوفققك


شرح الدائرة الكهربية :






  • يستخدم المفتاح الضاغط SW1 لأغراض الاختبارات فعند الضغط عليه يتم فصل عمل المرسل وعند تحريره يتم توصيله مرة اخرى . فى النهاية يمكن توصيل خط التمكين ENABLE_OSC1 إلى ميكروكونترولر أو منفذ كومبيوتر لعمل تعديل فى البيانات المراد إرسالها وفى هذه الحالة يمكن الاستغناء عن المفتاح SW1 والمقاومة R7 .
  • الترانزستور (Q20) والمقاومة (R20) يقومان بإمداد دايود الاشعة تحت الحمراء (LED20) بتيار أكبر من الذى تقوم به الدائرة المتكاملة للمذبذب (IC1) .
دائرة المذبذب باستخدام البوابة المنطقية NAND :

قائمة المكونات :


الدائرة المتكاملة IC1 (Quad 2-Input NAND Gate IC)
  • الدائرة المتكاملة مكونة من أربع بوابات NAND ثلاثة منها يتم تحويلها إلى بوابة عاكس inverter عن طريق توصيل دخليها معا . بينما البوابة الأولى كما هى بغرض استخدامها كبوابة NAND " نفى و " .
  • والاختلاف بينها وبين دائرة المذبذب الذى يستخدم العواكس هو إنه يمكن تمكينها أو عدم تمكينها لحظيا عن طريق المنطق المنخفض ( توصيل الطرف 2 بالدائرة المتكاملة IC1 بالأرضى).
المقاومات R3 و R4 : يشكلان مقاومة مكافئة تقريبا 150 kilohms-1/8 watt وهذه المقاومات تشكل دائرة التغذية العكسية وتحديد مستوى جهد المكثف (C2) . هذه المقاومات تشكل مقسم جهد مع الطرف 1 للدائرة المتكاملة IC1 لضمان أن "مستويات الجهد المرتفع والجهد المنخفض فى حدود عمل دخل الدائرة المتكاملة من النوع CMOS " .

المقاومة R5 :مقاومة متغيرة 10 kilohm . عادة يتم ضبطها عند المنتصف (5 kilohms) .

المقاومة R6 : 4.7 kilohm : المقاومة R5 والمقاومة R6 مجموعهما يغطى المدى المطلوب
(7 to 15 kilohms) .وهذه المقاومات مع المكثف C2 يشكلان دائرة RC . وبتغيير قيمة المقاومة يتغير الثابت الزمنى للدائرة ومن ثم يتغير التردد .

المكثف C2 : مكثف 1 نانو فاراد غير مستقطب (بدون قطبية) non-polarized. الزمن الذى يستغرقه هذا المكثف فى الشحن وفى التفريغ يحدد زمن دورة الشكل الموجى الناتج .

المكثف C1 : مكثف 1.5 ميكرو فاراد . يستخدم كمكثف فصل أو منع الارتباط decoupling لمنع تأثير الدوائر الأخرى على الدائرة المتكاملة IC1 نتيجة التغذية من نفس المصدر .

المقاومة R1 والمقاومة R2 : 10 kilohms- 1/8 watt.: تستخدم كمقاومات إخماد حيث تقوم بتقليل القدرة المستخدمة كما إنها تعمل على تحسين الاستجابة الزمنية وهى اختيارية .


المقاومة R7 : 10 kilohm- 1/8 watt. : وهى تسمى مقاومة الجذب إلى أعلا pull-up والتى تسبب فى وصول جهد منطقى مرتفع إلى بوابة NAND ما لم يتم الضغط على المفتاح الضاغط SW1 .

المفتاح الضاغط SW1 : عند الضغط عليه يصل الى البوابة NAND جهد منطقى منخفض بسبب التوصيل بالأرضى . يؤدى ذلك الى التوقف الفورى للتذبذب . وتتبع القيم المنطقية من بوابة الى اخرى : مرتفع – منخفض- مرتفع – منخفض الى دائرة الخرج ويؤدى إلى فصل دايود الأشعة تحت الحمراء . وعند تحرير المفتاح يعود التذبذب مرة أخرى .
شكرا لك يا بش مهندس

اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها )


الساعة معتمدة بتوقيت جرينتش +3 الساعة الآن: 02:56 AM
موقع القرية الالكترونية غير مسؤول عن أي اتفاق تجاري أو تعاوني بين الأعضاء
فعلى كل شخص تحمل مسئولية نفسه إتجاه مايقوم به من بيع وشراء وإتفاق وأعطاء معلومات موقعه
التعليقات المنشورة لا تعبر عن رأي موقع القرية الالكترونية ولايتحمل الموقع أي مسؤولية قانونية حيال ذلك (ويتحمل كاتبها مسؤولية النشر)