شكرا جزيلا لهذا التعليق و فى انتظار المزيد

التوصيل بطريقة دارلنجتون
ذكرنا قبل ذلك لزيادة معاوقة الدخول نستخدم طريقة دارلنجتون ! ما هى؟
ابتكر العالم سيدنى دارلنجتون هذه الطريقة لتكبير المعامل بضربه فى لترانزيستور آخر قد يكون من نفس الرقم أو رقم مختلف.
هذه الطريقة ناجحة و أدت لزيادة معاوقة الدخول بشكل ملموس كما أنها حل مثالى لحل مشكلة تيار الحمل حينما يحتاج الحمل لتيار كبير.
عادة تكون ترانزستورات ذات الأمبير العالى ذات منخفضة و خاصة إذا كان الجهد عالى فمثلا الترانزستورات التى كانت تستخدم كمكبر أفقى فى التليفزيون كانت ذات من 2 إلى 6 لكونها تتحمل 600 إلى 900 فولت وهنا طبعا تمثل هذه الطريقة حلا مناسبا .


تعانى هذه الطريقة من عيب خطير جدا وهو أن كل تيار خارج من الباعث للأول يكبر بواسطة الثانى الذى لا يميز بين كونه تيارا مطلوبا أو تيار تسريب من خامة الترانزيستور
لحل هذه المشكلة توصل مقاومة كما بالشكلين 2 ، 3 لإيجاد مسار لهذه التيارات خارج قاعدة الترانزيستور التالى وهى تبنى على أساس أن تيار التسريب × المقاومة أقل من أدنى قيمة تصلها وصلة القاعدة-باعث للترانزيستور الثانى وعادة تكون حول 100-120
تصلح هذه الطريقة لأن تكون مغذية خطوط Line Driver لكونها ذات معاوقة خرج قليلة و معاوقة دخل عالية

تستخدم هذه الطريقة للتكبير من التيار المستمر و حتى الميكرو ويف و ليس بالضرورة أن تكون لزيادة معاوقة الدخول فمثلا الترانزستورات MAR-1 إلى MAR-8 كلها مكبرات من تيار مستمر وحتى جيجا هيرتز و معاوقة الدخول و الخروج 50 وهى ببساطة أيضا دارلنجتون.
أرجو ألا ننسى وحدات الدارلنجتون و الوحدات التالية ، فكلها قوالب بناء فى الدوائر المتكاملة سنقول هذا دارلنجتون وهذا كذا لذا أرجو التذكر أو العودة لمراجعتها عند اللزوم
وحدات تكبير القدرة العالية مثل التى تعطى 50 أمبير ، 100 أو 200 كثيرا ما تستخدم دارلنجتون للوصل لتيار دخول ذو قيم قليلة تسهل استخدامها مثل وحدات الأنفيرتر التى تستخدم كمغيرات تردد وقد رأيت ثلاث مراحل دارلنجتون لكل ترانزيستور. لكن لا تزيد عن أربع مراحل حيث سيكبر تيار التسريب لأول ترانزيستور فى الوحدات اللاحقة فلو لدينا 6 ترانزيستور كل منهم =100 فإن تيار التسريب للأول سيكبر 100000000 مرة بالثانى والثالث والرابع والخامس قبل وصوله للأخير. فى أحد المنتديات وضع أحدهم 8 دارلنجتون و يسأل لماذا لا تعمل، والسبب الآن واضح.

لا يشترط أن يكون الترانزيستورين من نفس النوع بل يمكن كما سنرى لاحقا أن يكون الأول موجب PNP و الثانى سالب NPN كما يمكن أن يكون الأول FET,MOSFET والثانى NPN كما سنرى فى مكبر العمليات ولكن الثانى دوما من نوع ثنائى القطبية Bi-Polar Transistor و فى حالة ترانزستورات القدرة فعندما يوصل الأول MOSFET والثانى NPN أو PNP يسمى عادة IGBT اختصار Insulated Gate Bipolar Transistor و فى التصميم يكون التعامل مع البوابة Gate مثل الموسفت بينما الخرج Collector/Emitter فكالترانزيستور العادى - نحن لم نقدم شيء جديد هنا.

هنا نقطة هامة يجب أن ندركها جيدا وهى الفرق بين الوحدات الجاهزة مثل TIP130 TIP140 وبين أن تبنى شبيه من 2 ترانزيستور.
بالطبع ستظن أن ما تأتى به الشركات هو أفضل ما يكون حيث تراعى فيه كل الأمور ، لكن لننظر في هذه التوصيلة

لو نظرنا للترانزيستور فى التوصيلة على اليسار Darlington 3 وهى من TIP130، سنجد أن الباعث متصل بالقاعدة و كلا المجمعين Collectors معا، هنا حقا بيتا ستصبح 1000 لكن عندما نضع الحمل كما بالرسم و نطبق تيار القاعدة، سيدخل الترانزيستور الأيسر فى التشبع وهذا يجعل جهد الباعث/مجمع 0.2 فولت و يمرر تيار يدفع الآيمن للتشبع، ولكنه يريد لكى أن يكون فى التشبع أن يكون القاعدة أعلى من المجمع حوالى 0.5 وهذا مستحيل لأن جهد الترانزيستور الأيمن عكس ذلك فإما أن يدخل الأيسر فى القطع ليكون الأيمن فى التشبع أو يكون الأيسر فى التشبع و الأيمن موصل لكن لا يدخل التشبع.
وهذا هو المتاح. و من ثم يكون جهد المجمع/باعث للخرج أعلى بكثير من جهد التشبع و يسبب فقد فى الحرارة ألخ، لذا هذه الترانزيستورات جيدة للتحكم فى ريلاى أو ما شابه لكن التيار العالى سيسبب مشاكل.
الطريقة اليمنى Darlington 4 و المبنية من 2 ترانزيستور منفصلين، سنجد أن Q1 يمكن أن يدفع للتشبع ببساطة و ذلك لكونه متلص بالتغذية مباشرة فلا سيء يمنعه من التشبع ولا يحد التيار لإلا الدائرة الخارجية كما ذكرنا سابقا، هنا فالتيار العالى يستطيع أن يمد قاعدة Q2 بالتيار الكافى للتشبع و نظرا لكون الحمل بين مجمعه Collector Q2 و التغذية فيمكن للقاعدة أن تعلو عن جهد المجمع مسببة حالة تشبع حقيقية للترانزيستور Q2. نظرا لأن الدائرة الخارجية هى التى تحد التيار لذا يجب إضافة المقاومة Rs فى أى مكان لتحد من تيار قاعدة Q2 فلا يزيد عما هو مقنن لها.

هذه الطريقة " دارلنجتون" جيدة لتكبير القدرة باستخدام دائرة الباعث المشترك أو المجمع المشترك (تابع مهبط) Emitter Follower و لكن كفاءتها قليلة لا تتعدى 30% والسبب أن هناك تيار مقداره نصف التيار الأقصى مستهلك بصفة مستديمة و يزيد للقيمة القصوى وينقص للصفر مع الإشارة ، لذا ابتكرت طريقة المحول منذ أيام الصمامات الإلكترونية لربط وحدتين معا لتكبير الإشارة وهى موضوع المرة القادمة إن شاء الله .

مرحلة خرج واحدة غالبا ما لا تفى بالغرض فإن لم يكن من حيث القدرة فيكون من حيث جودة الإشارة الناتجة.
لا نستطيع أن نضع مكبرين على التوازى و السبب أننا لا نستطيع أن نجد قطعتين متماثلتين و لهذا سيكون جهد إحداها أعلى من الأخرى فتحمل هذه على تلك مسببة مشاكل لا حصر لها خاصة عند بدء تشغيل الجهاز حيث تكون استجابة المكبرات غير متوقعة و عفوية ، كل مرة قد تختلف عن سابقتها . لذلك استخدم المحول لجمع الدوائر معا كالدائرة التالية

من الدائرة نرى عدة ميزات
1- تيار المجمع للترانزيستورين يسير داخل المحول عكس بعضهما ولذلك يلغى المجال المغناطيسى لأحدهما الآخر فيقلل احتمال حدوث تشبع للحديد و بالتالى تشويه الخرج.
2- أنه لا جدوى من جعل الإشارة على القاعدتين متماثلتين لنفس السبب المذكور فى بند1 لذلك نجعل أحدهما عكس الآخر فى الوجه لذلك ، عندما يزيد التيار فى أحدهما يقل فى الآخر كما لو أن أحدهما يدفع التيار للمحول والآخر يجذبه منه فسميت دائرة الدفع و الجذب Push - Pull.
3- التشويه الناتج من عدم خطية المكبرات (الترانزيستور) كما ذكرنا سابقا بتحليل فورير لها نجد أن المركبات الزوجية (2× ،4× الخ) تلغى بعضها داخل المحول فهى مثل التيار المستمر ، وهى النسبة الأكبر فى التشويه لذلك فهذه الدائرة جيدة
لكنها لا تخلو من العيوب أيضا فهى
1- وجود المحول يشكل عبئ على الدائرة من حيث كونه حمل حثى و بدون الاحتياطات الكافية فان انقطاع سلك الحمل يتسبب فى توليد جهد عالى من المحول يدمر وحدتى الترانزيستور (أو الصمامات سابقا)
2- المحولات بطبيعتها تعانى من اعتمادها على التردد و ما يناسب 20 ذ/ث (أول النطاق السمعى) لا يناسب 200 ذ/ث و بالتالى 2000 أو 20000ذ/ث (أخر النطاق السمعى)
3- فى القدرات الكبيرة تشكل المحولات وزنا كبيرا سواء وحدات التغذية أو وحدة الخرج هذه

لحسن الحظ فى دوائر الترانزيستور أمكن عمل نفس الدائرة بأسلوب أخر وهو تحقيق الاختلاف باستخدام ترانزيستورات مختلفة فيوجد س م س ، م س م PNP,NPN وهو ما لم يكن يتاح سابقا بالصمامات لذلك يمكن عملها هكذا


ولكن كثير من المكبرات تحتوى محول خرج !!
هذا صحيح و لكن ليس للاستخدام العادى ، فلو ستغذى سماعات فى جوار المكبر و لن تحتاج كابلات طويلة ، فلن تحتاج هذا المحول إنما تخيل معى هذه الحالة
لدينا مكبر يعطى 100 وات عند 4 و مبنى (موقع عمل – سوبر ماركت – محطة سفر – الخ ) ، و نريد أن نوزع الصوت عليها – ماذا نفعل ؟ سماعة واحدة لا تصلح فالقريب لا يستطيع البقاء من شدة الصوت و البعيد بالكاد يسمع كما أنه لا يتيح لنا التقسيم لمناطق لنتمكن من إذاعة تعليمات لمنطقة دون الأخرى
إذن نستخدم سماعات سقف ! - صح و غلط
كيف؟
السماعات إما 4 أو 8 أوم ماذا نستخدم و كيف نوصلها للحصول على 4 ؟
لا تقل التوصيل على التوالى والتوازى فلن تحقق كل الحالات لأى عدد من السماعات – و الأسوأ ؟ كيف تقسمها مناطق غير متساوية فى عدد السماعات؟
أيضا نحتاج سلك يتحمل 5 أمبير ليتحمل هذه القدرة وهو مكلف فى المسافات الطويلة
مشكلة يصعب جدا حلها ، لذلك ابتدعت طريقة وهى وضع محول على خرج المكبر يرفع الفولت إلى 70 فولت و فى أنظمة 100 فولت فيقل التيار و بالتالى يقل قطر السلك فيسهل السير لمسافات كبيرة.
لو وضعنا السماعة عليه هكذا ستحترق ، لذا كل سماعة لها محول صغير 2 وات (أو حسب قدرة السماعة) يحول لها من 70 فولت أو 100 إلى ما يناسبها و بذلك يمكنك استخدام مفتاح ضبط مستوى الصوت لكل غرفة الخ
إذن هى لجمع الخرج من وحدتين!؟
ليس فقط بل تحسين كفاءة الأداء أيضا
هناك طراز أ المسمى Class A amplifier وهى كالنظام السابق حيث كل قطعة عليها نصف التغذية و يمر بها نصف التيار الأقصى وهى لا تزيد من كفاءة الدائرة
هناك طراز ب المسمى Class B amplifier وهى كالنظام السابق و لكن القطعتين فى حال القطع ، و كل واحدة عليها تكبير نصف موجة و ترتاح النصف الآخر وهذا يمكنها بالطبع من إعطاء طاقة أكبر لكل واحدة كما أنها تزيد من كفاءة الدائرة لأنه لا يوجد تيار مفقود أثناء عند عدم وجود إشارة No Signal وتصل الكفاءة حتى 50 % أو أكثر
هناك طراز أ- ب المسمى Class AB amplifier وهى كالنظام B السابق إلا أن الخوف من وجود منطقة "ميتة" حيث يكون كلا الترانزيستورين مقفل مما يزيد التشويه لذا تعطى القطعتان انحياز طفيف نحو التوصيل لتجنب ذلك و هى بين الاثنتين
هناك طراز ج المسمى Class C amplifier وفيها تكون القطعتان فى حال القطع العميق و يكون التوصيل فقط عند أطراف الموجة – أى جزء بسيط من الموجة و كما هو واضح تسبب تشويه عالى جدا لذلك لا تصلح إلا فى مكبرات التردد العالى حيث توجد دوائر رنين تحدد شكل الموجة و المطلوب شحن الطاقة فى اللحظات المناسبة فقط و دائرة الرنين توزعها على باقى الذبذبة – الكفاءة تصل 80% لذا دفع هذا التحسن فى الكفاءة إلى تبنى نفس الفكرة فى عمل Switching Amplifier يستطيع أن تعمل بهذه الكفاءة و أعلى فى مكبرات الترددات المنخفضة
السبب فى تحسن الأداء هو الجهد × التيار = الطاقة و الطاقة التى لا يستهلكها الحمل تفقد فى الترانزيستور

فلو كنت تجرى بسرعة فلك طاقة فإن صدمت شيئا ما إن كان مرنا و يمتص الطاقة لن تشعر بالألم لكن لو لم يمتص الطاقة !!!
فى المكبر Switching Amplifier تكون الإشارة أقرب ما تكون لنبضة مربعة وهى أقل الأشكال فقدا للطاقة لأن الحالة المثالية لها كما يلى
توصيل : تيار مع جهد على الترانزيستور = صفر و المحصلة = تيار × صفر = صفر
قطع : جهد التغذية مع تيار = صفر و المحصلة = جهد × صفر = صفر
والفقد فقط نتيجة أن الترانزيستور ليس مثاليا
المرة القادمة إن شاء الله نتحدث عن جمع الدائرتين معا - دارلنجتون مع دفع وجذب

لو نظرنا للدائرة السابقة

لوجدنا زوج من الترانزستورات متماثلين لكنهما معكوسين ، كيف هذا؟
هذا ما يسمى Complementary Pair أو الزوج المتكامل حيث يصنعان من نفس القوالب التى تشكل طبقاته و بنفس التركيز من الشوائب و كل شىء حتى تكون استجابتهما أقرب ما يمكن لبعض حتى لا يتسببا فى تشويه الإشارة أو يحمل أحدهما على الآخر ولذا يذكر ذلك فى صحيفة بيانات Data Sheet كل منها و فى الواقع هناك صحيفة واحدة لهما مع ذكر رقم كذا NPN و رقم كذا PNP
مثال : أرجو تحميل البيانات الخاصة بالترانزيستور 2N3055
http://www.datasheet4u.com/html/2/N/...laInc.pdf.html
قد نجد زوج كهذا عند التيار المطلوب ، وقد لا نجد – فقط NPN
لماذا ؟
تشكيل NPN اسهل من PNPحيث الحركة فى الأول للإلكترونات بينما للأخر الفجوات أيضا الأولى أسرع و ذات نطاق ترددى أعلى من الثانية لذا يجب تعويض هذا مما يجعل الأمور ليست بهذه البساطة – لماذا؟
انظر للرسم التالى و احكم أيها أسرع فى العبور ، "بلية" تقفز أم نحرك كل "بلية" بدورها حتى تتحرك الفجوة ؟


لذلك قد لا تتجاوب الترانزستورات ذات القدرة العالية حيث قطع السيليكون تناسب الأمبير المار لذلك يفضل أن نضع الزوج المتكامل عند مستوى أقل من الأمبير و نستخدم دارلنجتون مع الترانزيستور ذو الأمبير المناسب


هيه ما هذه الدايودات فى الدائرة؟
نراجع معا مسار الجهد من قاعدة ترانزيستور Q1 وحتى الأرضى
أولا نجد جهد قاعدة – باعث للترانزيستور Q1 ، ثم جهد قاعدة – باعث للترانزيستور Q3 ، جهد قاعدة – باعث للترانزيستور Q2 و كل منها مساوى لجهد ثنائى سيليكون عادى لذا للحفاظ على حد القطع وجب وضع جهد انحياز مساوى 3 × 0.6 حسنا كيف نحقق ذلك
ارخص حل نحسب التيار و نضيف مقاومة تعطى الجهد
أسهل حل نضع زينر = 1.8 فولت
و لكن ماذا بعد دقيقتين من التشغيل و انخفاض جهد القاعدة – باعث إلى 0.55 فولت بتأثير الحرارة؟ هل تذكر تجربة الثنائيات ؟
إذن لن تجدى طريقة من الطرق السابقة ولذا بوضع هذه الثنائيات و ربطها ميكانيكيا بالمبرد الخاص بترانزيستورات القدرة نضمن أن تتطابق هذه الجهود لأبعد حد لأنها تسخن وتبرد معا
هذه الطريقة تسمى شبه مكمل أو quasi-Complimentary

الآن تحدثنا عن دائرة الدفع و الجذب وكيف تحقق جودة الأداء ، هل هناك تعديلات أخرى منها ؟
ماذا لو كانت السرعة هى الأهم بصرف النظر عن جودة الأداء
كيف السرعة تكون أهم؟
مثلا فى دوائر المنطق ، لا يهم إلا الصفر و أعلى جهد و ما بينهما لا يجب البقاء عنده
لهذا الغرض صنعت دائرة القطب الجامع Totem Pole حيث حذفت الدوائر التى تحسن الخطية و استبقيت ما تؤكد الأداء الأمثل وهو يحاول ألا يجعل الترانزيستورين موصلين معا أثناء الانتقال من مستوى لآخر
سنتحدث عنه بالتفصيل إن شاء الله فى شرح دوائر TTL
المرة القادمة إن شاء الله سنتكلم عن أنواع أخرى من الترانزستورات

FET MOSFET
من المفارقات التاريخية أن علماء شركة بل فى أواخر الأربعينيات كانوا يبحثوا عن بدائل للصمامات الإلكترونية ذات مقاومة الدخول العالية جدا و أنها تعمل بالجهد المتغير وليس التيار مما يسهل عمل المكبرات و خلافه لكن ما تمكنوا من عمله كان الترانزيستور . بعد أعوام أخرى من الأبحاث تمكنوا من تحقيق نجاح فى عمل ترانزيستور تأثير المجال Field Effect Transistor FET والسبب أنه يحتاج لدقة أعلى فى التصنيع و التحكم فى المساحات و الشوائب
تركيبه ببساطة عبارة عن شريحة صغيرة أو بلورة من نوع ما وليكن سالب س N و فى منتصفها حزام أو حلقة أو مساحة من النوع المخالف أى P أو موجب م ، طبعا الشكل يعتمد على أسلوب التقنية المستخدمة فللدوائر المتكاملة نتكلم عن شرائح و الأسلوب القديم فهو بلورة



هذا يشكل ثنائى ولكن بشكل غير المعتاد كما أن له ثلاث أطراف بدلا من اثنين ، طرفان للبلورة و الثالث للحزام
بالطبع يمكننا توصيله توصيلا أماميا و يكون موصلا – ولكن لن يجدى ذلك شيئا
ماذا لو وصلنا الثنائى توصيلا عكسيا ؟
سيتكون جهد الحاجز و الذى يكون منطقة على كل جانب لا يمر فيها التيار ، هذا – لا شك – سيقلل من مساحة مقطع الشريحة الأصلية المسموح بمرور التيار بها ، و بالتالى تزداد المقاومة بين أطراف البلورة.
إذن يمكننا أن نتحكم فى التيار المار من خلال تغيير المقاومة و بالتالى هذا الطرف نسميه بوابة Gate و الطرفان الآخران مصدر Source و مخرج Drain
لاحظنا طبعا أن التحكم من خلال ثنائى معكوس وهو يحقق مقاومة دخول عالية .
لماذا سمى هذا مصدر Source والآخر مخرج Drain – نفس الأسباب إلا أن هنا فارق كبير
فى الترانزيستور كان يجب أن يكون هناك تغيير فى نسبة الشوائب و شكل المجمع لتحصيل أكبر قدر من الإلكترونات لدرجة أن رقم واحد فقط صنع بإمكانية تبديل الباعث Emitter مع Collector المجمع ولم يدم طويلا حيث قيمة الكسب كانت قليلة جدا.
هنا فى FET المسألة تغيير مقاومة ولا فارق تقريبا بينهما لدرجة أنه كثيرا ما يستخدم كمقاومة متغيرة بتغير جهد القاعدة
رمز الترانزيستور FET كما بالرسم و إذا كانت الشريحة الأساسية من النوع السالب N فإن الترانزيستور يسمى N-Type و يكون السهم على القاعدة متجها نحو الشريحة N-Type أما إن كانت موجب P فيسمى P-Type والسهم للخارج، أى أن السهم يشير إلى حيث يكون N – كما أنه ليس فى وسط القاعدة بل جهة المنبع Source
لنزيد مقاومة الدخول (القاعدة) هناك حيلة صغيرة يمكننا أن نقوم بها
ماذا لو جعلنا السطح عازلا ثم و ضعنا عليه طبقة موصلة أخرى؟ بالتأكيد بالتأثير السعوى سيظل يعمل بنفس الطريقة – إذ لو كانت نفس الشريحة السابقة N-Type ،فإن وضع جهد على القاعدة سيجذب شحنات مخالفة على الجانب الآخر من الطبقة العازلة و جذب شحنات موجبة سيعادل الإلكترونات الحرة فى N-Type مسببا زيادة مقاومتها كما سبق
أجل نظريا لكن عمليا كيف يتم؟!!
آن الأوان أن ننسى طريقة البلورة فلم تعد تصنع مكونات بهذه الطريقة الآن، فالآلة التى تصنع تعمل بلورة واحدة فى المرة الواحدة لكن طريقة تصنيع الدوائر المتكاملة أفضل
لماذا؟
تصنع من قرص رقيق من السيليكون قطره على الأقل 10 سم أى 100 مم فتكون مساحته على الأقل 7850 مم2 و تخيل أن ملليمتر مربع واحد تصنع منه دائرة مثل LM747 وهى أربعة مكبر عمليات كل منها أكثر من 30 ترانزيستور؟ إذن كم تكون تكلفة الواحد؟
لتصنيعه ، بعد عمل الشرائح – يمرر أكسجين ساخن على الشريحة لتكوين طبقة من ثانى أكسيد السيليكون – هل هذا الاسم مألوف؟ متى أخر مرة ذهبت للشاطئ؟ هل استمتعت بالرمال؟
بعد ذلك ترش طبقة من العنصر المراد وضعه . نظرا لاستخدام أكسيد السيليكون ( وهو أكسيد لمعدن ) سمى MOSFET اختصار لأكسيد شبه الموصل المعدنى
بتغيير العازل و نوع مادة البوابة Gate نحصل على خواص أفضل و أسرع و بتكلفة أعلى لكن من يخطب الحسناء فليغلها المهر.



جميل ما وصلنا إليه لكن هناك شئ ما – أليس كونه دائم التوصيل ، ثم يقفل بتطبيق جهد القاعدة ، إلى حد ما يقلق؟
بالطبع وهذا له حل بسيط يسمى الترانزيستور المحسن Enhanced Type وهو موضوعنا المرة القادمة إن شاء الله

Enhanced Type

كما رأينا المرة الماضية أن الترانزيستور من نوع FET يكون دوما موصل و عندما يوضع جهد يبدأ فى زيادة المقاومة ، و للأسف هو بالنسبة لكلا النوعين موجب وسالب لذا لو فكرنا عمل مرحلة دفع وجذب كالسابقة ستكون مشكلة كبيرة عند بدء تشغيل الجهاز حيث كلاهما ON مسببا قصر على وحدة التغذية و عليهما أيضا و النتائج ...
لذا نشأت الحاجة لوحدات تكون عادة Off و تفتح أو تقوم بالتوصيل فقط بناء على أمر (جهد البوابة Gate فقط)
كيف الحل؟

تخيل الشريحة السابقة N-Type ثم شكلنا الجزء الأوسط حتى يكون P-Type ماذا يحدث؟
بالتأكيد مثل الترانزيستور العادى لن نجد وسيلة لتمرير التيار حيث إحدى الوصلتين معكوسة
تماما لكن هنا نقطة نركز عليها وهى أن الجزء الأوسط عريض وليس رقيقا مثل حالة الترانزيستور العادى
مهلا ، أولا هى غير متصلة و ثانيا ، سبق أن قلت فى الترانزيستور أنها لو كانت عريضة لن يعمل !!!!! هل نغير الكلام الآن؟؟؟
كلا – لا يهم الكلام فالقانون يسرى بصرف النظر عما نقول
إذن ما القصة الآن؟
القصة ببساطة أن الأداء مختلف
هناك فى الترانزيستور العادى أردنا لإلكترونات الباعث Emitter أن تعبر القاعدة Base الموجبة دون أن تأخذ فرصة للاتحاد ، لذا كان يجب أن تكون رقيقة
أما هنا فببساطة نريد لها أن تتعادل و يبقى منها الكثير لينقلب النوع الموجب إلى سالب فتصبح كشريحة واحدة من نوع واحد N-Type
كيف هذا – هل تتغير طبيعة المادة؟
أرجو أن نرجع للمرات السابقة حيث تكلمنا عن تشكيل الأنواع السالب و الموجب.
قلنا أن ما يحدد كون المادة سالبة أو موجبة هو نسبة الشوائب الغالبة و التقنية المستخدمة فى صناعة الدوائر المتكاملة هى أن نجعل شريحة مثلا سالبة ثم نضيف شوائب عكسية لتصبح موجبة ببساطة
الإلكترونات تتعادل مع الفجوات ، فإن زادت إلكترونات كانت المادة سالبة ، وإن زادت فجوات تصبح موجبة
حسنا بالنسبة للترانزيستور FET من النوع السالب السابق N-Type فعند وضع جهد موجب على البوابة تجذب شحنات سالبة على الجانب الآخر من العازل (إلكترونات) فتتعادل مع فجوات النوع الموجب P-Type حتى تلغى الفجوات تماما و عندها تبدأ المادة تتصرف كنوع سالب N-Type لوفرة الإلكترونات بها
إذن النوع المعزز نجده غير موصل عادة و بعد جهد محدد يبدأ التوصيل التدريجى
طبعا نحتاج لعمل وحدات ذات قدرات عالية و القدرة العالية تحتاج أمبير كبير وهو يحتاج لمساحة كبيرة لذا ابتكر ما يسمى بالنوع الرأسى وهو كما بالرسم

عبارة عن مجرى حرف V و تشكل منه أجزاء الترانزيستور لتوفير المساحة المستعرضة ولا يختلف عن زملائه بعد ذلك حتى ربما لا ندرك أنه من هذا أو ذاك و كثيرا ما لا يذكر ذلك فى صحيفة الخواص



قبل أن نبدأ فى التوصيل يجب أن نعلم ما هو ذلك الدايود الموجود بداخل كل موسفيت و استخدامه، لذا سأضطر لإلحاقة بآخر السلسلة مع رابط للعودة للتسلسل المنطقى
http://www.qariya.info/vb/showthread...97#post1107597
الموضوع ملحق فى المكان الصحيح فى ملف PDF فى أول السلسلة
كيفية التوصيل؟ هذا موضوع المرة القادمة إن شاء الله

اريد من اخوتي واحبائي الاعزاء بالمنتدى بمساعدتي بشرح هذه الدائرة التابعة لاحد مواضيع المنتدى والموقع الجميل
وارجوا ان يتم شرح الدائرة كاملة بحيث انه ماذا يحدث بداخلها وما هي النتائج


http://www.qariya.com/electronics/im...ll_circuit.jpg



شكرا الكووووووووون كتييييييييرررر
يا حلوين مع تحيات سيرين الصديقة الجديدة الكون

المتكاملة 0820 غير معروفه