 |
|
|
|
|||||
السلام عليكم بعض الصور التوضيحية لعمل الترانزستور كمفتاح مع ملاحظة ان تمثيل نقطة المجمع والمشع كمفتاح فقط بدون مقاومة داخلية هذا لتقريب الفكرة فقط وليس الواقع   دائرة القاعدة :  بعض الملاحظات المهمة : 1- بالفرض اننا اخترنا ترانزستور وكان تيار المجمع فى الدائرة العملية اقل من التيار المطلوب للحمل ..اذن مالحل ؟ الحل ان نختار ترانزستور اخر ببيتا  اعلى حتى يعطينا التيار المطلوب على المجمعولانغير فى مقاومة المجمع كما حدث فى المثال السابق لتمرين اخى اسامة حيث اضطررت الى تغيير قيمة المقاومة على المجمع حتى احصل على تيار مجمع = 20 مللى امبير وهذا طبعا لايمكن حدوثه مع حمل مقاومته ثابته لذلك نختار ترانزستور قيمة بيتا له اعلى من الترانزستور السابق 2- النقطة التانية المهمة ان هناك اختلاف بين المصممين فى مضاعفة قيمة تيار القاعدة عن القيمة الناتجة من علاقتها مع تيار المجمع مع بيتا حيث قلت سابقا انها تضاعف خمس مرات فبعضهم يضاعفها ثلاث مرات وبعضهم يضاعفها مرتين لضمان دخول الترانزستور التام فى منطقة التشبع 3- ثالث نقطة ايضا ان بعض المصممين عند ايجاد قيمة تيار القاعدة لاياخذ قيمة بيتا الصغرى عندما يكون للترانزستور اكثر من بيتا اى بيتا صغرى واخرى كبرى فهو يختار قيمة وسط بين الاثنين 4 - النقطة الرابعة يجب ملاحظة ان بيتا تتغير بتغير تيار المجمع ويجب ملاحظة ذلك من الداتا شيت للترانزستور حيث هناك منحنى يبين تلك العلاقة بين بيتا وتيار المجمع 5 - من الداتا شيت ايضا هناك منحنى مهم يبين العلاقة بين تيار المجمع والجهد بين المجمع والمشع VCE فى حالة التشبع وايضا بين تيار المجمع والجهد بين القاعدة والمشع VBE كما فى الصورة وهذا المنحنى مهم جدا لمعرفة هل تيار المجمع الذى معنا موجود فى حالة تشبع الترانزستور ام لا  6- النقطة السادسة ان هناك بعض المواقع تربط الجهد بين القاعدة والمشع بحالات الترانزستور وهذه بصراحة لم اتيقن من صحتها فكما نعلم للترانزستور ثلاث حالات قطع وتشبع وتشغيل 1 - هم يقولون ان الجهد بين القاعدة والمشع فى حالة القطع اقل من 0.6 وهذا لايحتاج نقاش 2 - وان الجهد بين القاعدة والمشع فى حالة عمل الترانزستور كمكبر يكون بين 0.6 : 0.7 للسليكون 3 - وان هذا الجهد اذا زاد عن 0.7 فان الترانزستور يدخل منطقة التشبع يمكن التاكد من ذلك باجراء بعض التجارب على برنامج المحاكاة او من الداتا شيت للترانزستور والصورة توضح هذا التقسيم  7 - النقطة السابعة المهمة ان ترانزستور الباور اى ذو تيار المجمع العالى دائما بيتا له صغيرة وعليه تيار قاعدته بالتالى سيكون كبير وعليه لايصلح للتركيب على خرج الميكروكنترولر ذو تيار خرج قليل يمكن ليس اعلى من 20 مللى فماذا نفعل لو اردنا تشغيل ريلاى ذو امبير عالى مثلا او موتور على تلك الايسى؟ هذا ماساشرحهه المرة القادمة باذن الله مع عتابى الشديد لعدم اشتراك الاخوة الذين تحمسوا فى البداية للمشروع التعديل الأخير تم بواسطة : ahmed115 بتاريخ 13-07-2010 الساعة 04:25 AM |
| اعلانات |
|
|||||
|
السلام عليكم سوف اضرب مثال واقعى على برنامج المحاكاة وساختار الحمل منه وهو عبارة عن ليد يعمل على 3.4 فولت وتيار 15 مللى تقريبا بدون الذهاب الى المعادلات هنا الدائرة مكونة من بطارية وليد ومفتاح كما فى الصورة  المطلوب هو ازالة المفتاح ووضع ترانزستور مكانه ليحل محله تماما بدون اى نقص فى الدائرة نبحث عن ترانزستور يتحمل تيار الحمل وللامان يكون اقصى تيار له ضعف تيار الحمل نختار مثلا الترانزستور BC547B الذى اختاره اخونا اسامة حيث يحقق المطلوب لانه يتحمل تيار الى 100 مللى كما هو واضح من الداتا شيت الخطوة الثانية : المطلوب ادخال الترانزستور فى منطقة التشبع من الداتاشيت ايضا نجد ان الجهد بين المجمع والمشع فى حالة التشبع هو 0.25 فولت ..نضع مقاومة متغيرة على القاعدة ونغير فيها الى ان نحصل على قيمة 0.2 للامان لجهد المجمع /مشع ونقللها كمان حبتين حتى نكون فى الامان ويكون الترانزستور شبعان على الاخر ونلاحظ ايضا ان الجهد بين وصلتى القاعدة مشع ايضا يحقق المطلوب وهو اكثر من 0.7 فولت ( وهذه فقط لزيادة التاكد ولكنها ليست اساسية ) سنجد التصميم بعد وضع الترانزستور مكان المفتاح مطابق تقريبا لتصميم الدائرة الاولى كما فى الصورة  لاحظ ان الجهد بين المجمع والمشع 0.051 فولت يعنى فى تمام التشبع ماذا لو وضعنا ترانزستور اخر مختلف تماما عن الاول ك BD135 الذى يتحمل اقصى تيار 1.5 امبير وهذا التيار قيمته كبيرة ومعنى ذلك ان تيار القاعدة اللازم لدخول الترانزستور منطقة التشبع سيكون اكبر من الترانزستور السابق نقوم بادخال الترانزستور الى منطقة التشبع كما فعلنا مع الاخر وللامان نقلل مقاومة القاعدة حتى يكون الجهد بين القاعدة والمشع اكثر من 0.7 فولت والجهد بين المجمع والمشع اقل من 0.5 فولت ( 0.5 فولت اخذتها من الداتا شيت وهى عامة 0.2 تكون اضمن ) ستكون النتيجة اختلاف بسيط جدا كما فى الصورة  لاحظ هنا ايضا ان الجهد بين المجمع والمشع هو 0.026 فولت يعنى اقل كثيرا من الجهد اللزم لدخول التشبع وهذا معناه انه غرقان فى التشبع وبيشكرك تعديل بسيط يااخوة فقد وقعت فى خطا سهوا لو تلاحظ انى وضعت الاميتر خارج المجمع اذن هو لايقيس تيار المجمع وانما يقيس تيار المشع لان تيار المشع = تيار المجمع +تيار القاعدة = التيار الخارج من البطارية والوضع بعد التعديل اصبح افضل حيث نلاحظ تساوى القيم للتيار والجهد تقريبا على كلا النوعين من الترانزستور اى لن يفرق كثيرا استخدام اى ترانزستور كمفتاح شرط ان يحقق المطلوب وهو ان يتحمل يكون اقصى تيار للمجمع ضعف تيار الحمل وان يعمل الترانزستور فى منطقة التشبع كما فى الصورة 
التعديل الأخير تم بواسطة : ahmed115 بتاريخ 13-07-2010 الساعة 02:00 PM |
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
|||||
|
السلام عليكم هقوم باستبدال الحمل بدل ماهو ليد هحط ريلاى 5 فولت فى هذه الحالة لن احتاج لمقاومة على التوالى لان جهد البطارية مناسب لجهد الريلاى كيف احدد تيار ملف الريلاى؟ هقيس المقاومة له بالاوم واقسم الجهد على المقاومة يدينى التيار ومن الدائرة هلاقيه حوالى 50 مللى امبير على البرنامج وكما نعلم نحن نستخدم احياننا الريلاى فى دوائر الكنترول لاننا احياننا نحتاجه كمفتاح لكى نحمل عليه تيار متغير او تيارات عالية قد لايتحملها الترانزستور هشتغل على نفس الاتنين ترانزستور فى الامثلة السابقة وهلاقى نتيجة كويسة احسن من النتائج السابقة وهتلاحظ معايا انه كلما كبر الحمل كان افضل بالنسبة للترانزستور ذو تيار مجمع عالى وبالنسبة للترانزستور الاول الاصغر كانت النتيجة ممتازة ومثالية ايضا كما فى الصورة  الترانزستور الثانى تحسنت نتائجه عن التمرين السابق مع الليد كما فى الصورة  ولاحظ تحسن معظم القراءات ومثاليتها بالنسبة للتشبع تعديل بسيط يااخوة فقد وقعت فى خطا سهوا لو تلاحظ انى وضعت الاميتر خارج المجمع اذن هو لايقيس تيار المجمع وانما يقيس تيار المشع لان تيار المشع = تيار المجمع +تيار القاعدة = التيار الخارج من البطارية والوضع بعد التعديل اصبح افضل حيث نلاحظ تساوى القيم للتيار والجهد تقريبا على كلا النوعين من الترانزستور اى لن يفرق كثيرا استخدام اى ترانزستور كمفتاح شرط ان يحقق المطلوب وهو ان يتحمل يكون اقصى تيار للمجمع ضعف تيار الحمل وان يعمل الترانزستور فى منطقة التشبع كما فى الصورة  لاحظ شيئ مهم عند النظر لدائرة المجمع ستجد قراءات الافوميتر تبين ان: جهد ملف الريلاى الذى يعتبر جهد الحمل VL + الجهد بين المجمع والمشع VCE= جهد البطارية لضيق المساحة لم اربط دايود على التوازى مع ملف الريلاى وذو انحياز عكسي مع البطارية وهو كما فى الصورة:  واى دايود يفى بالغرض المهم ان يكون جهد الانكسار العكسى له اكبر من جهد البطارية حتى لايمرر تيار عكسى اثناء عمل الدائرة وطبيعى يربط الدايود عكسى مع الملف حتى لايلغى الملف ولايعمل الريلاى فائدة الدايود : نحن نعلم انه ينشا على الملف قوة دافعة عكسية اثناء الفتح والغلق للدائرة تلك القوة الدافعة العكسية قد تصل الى اكثر من 100 فولت فى بعض الاحيان من بطارية ثلاثة فولت على ملف وهناك موقع اعطاه لى اخى اسامة يبين تلك التجربة عمليا عند غلق وفتح المفتاح فى دائرة بسيطة عبارة عن ملف وبطارية تنشا قوة دافعة عكسية على الملف فى تلك اللحظة تكفى لاضاءة مصباح 200 فولت لحظيا وعليه هذا الفولت العالى لو تركناه يذهب الى الترانزستور لسبب تلفه لانه يحدث شرارة عالية على اطراف الترانزستور هذا التصرف للملف كانه بطارية قطبيتها عكس البطارية الاساسية تحمل شحنة كبيرة من التيار والحل هو عمل شورت عليها اى غلقها على نفسها وهذا مايفعله الدايود حيث يمر التيار فيه ويعود الى الملف مرة اخرى الى ان يضمحل وينتهى المرة القادمة سأتكلم عن ربط موتور على متحكمة وكيف نعالج قضية وجود خرج صغير من المتحكمة لايكفى لتشغيل ترانزستور باور كمفتاح يارب حد يناقشنى يحسن هبتدى احس بملل يارجالة التعديل الأخير تم بواسطة : ahmed115 بتاريخ 13-07-2010 الساعة 02:10 PM |
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
||||||
|
|
