ترانزيستور( IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor) هو ترنزستر ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة و يجمع بين مميزات ثنائي القطبية في الجهد العالي و ترانزيستور تأثير المجال في سرعة التجاوب والجهد ( الطاقة ) المنخفض عند التحكم إلا أنه يعمل على مستوى منخفض من الذبذبات لا تتجاوز بضع العشرات من الكيلو هرتز.


البنية الداخلية


الدارة المكافئة

ترانزستور السالب موجب سالب NPN لا ينقل التيار عادة إلى المقاومة r الجهد في طرف المقاومة غير كاف وفي حال إن تواجد التيار يفقد ترنزستر IGBT التحكم أي انه يقع في حالة انحصار (فقدان القدرة على التفعيل ) تجميع ترنزسترين يكافئ ( يعادل ) تيرستر thyristor ولا يقع الانحصار إلا إذا انقطع التيار الأساسي ولكن التقنيات المستخدمة في صناعة هذا الصنف من الترنزسترات تجنبه هذه الظاهرة .
التكافئ البسيط

جدول مقارنة وخصائص

أحد استعمالاته

للرد او الاستفسار بخصوص هذا الموضوع أضغط هنا